[發明專利]用于顯示器像素單元閾值電壓補償電路的電容器結構

在審

• 申請號: 201410664676.0
• 申請日: 2014-11-19
• 公開（公告）號: CN104376813A
• 公開（公告）日: 2015-02-25
• 發明（設計）人: 張世昌;V·古普塔;樸英培
• 申請（專利權）人: 蘋果公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種顯示器像素單元，包括：

有機發光二極管；

驅動晶體管，具有向所述有機發光二極管施加電流的閾值電壓；

閾值電壓補償電路裝置，其補償所述閾值電壓的變化，其中所述閾值電壓補償電路裝置包括形成于電介質基板上的薄膜晶體管和具有交織堆疊的導電極板的電容器，以及其中所述交織堆疊的導電極板包括半導體層、第一金屬層、第二金屬層和第三金屬層。

2.根據權利要求1所述的顯示器像素單元，其中所述第一金屬層短接至所述第三金屬層。

3.根據權利要求1所述的顯示器像素單元中，所述交織堆疊的導電極板具有最下方的極板、最上方的極板、在所述最下方的極板和所述最上方的極板之間插入的第一極板、以及在所述最下方的極板和所述最上方的極板之間插入的第二極板，以及其中所述半導體層形成所述最下方的極板，所述第一金屬層形成所述第一極板，所述第二金屬層形成所述第二極板，以及所述第三金屬層形成所述最上方的極板。

4.根據權利要求3所述的顯示器像素單元，進一步包括位于所述第一金屬層和所述第二金屬層之間的電介質層，以及所述電介質層中的開口，其中所述第二金屬層被圖案化以形成金屬島，以及其中所述第一金屬層通過所述金屬島和所述開口中的導電材料短接至所述第三金屬層。

5.根據權利要求4所述的顯示器像素單元，進一步包括在所述第三金屬層和所述第二金屬層之間插入的鈍化層。

6.根據權利要求5所述的顯示器像素單元，其中所述鈍化層具有開口，所述第三金屬層通過所述開口接觸所述第二金屬層。

7.根據權利要求1所述的顯示器像素單元，其中所述薄膜晶體管包括有源區層、所述有源區層上的柵極絕緣體、以及柵極金屬，其中所述柵極絕緣體位于所述柵極金屬和所述有源區層之間。

8.根據權利要求7所述的顯示器像素單元，其中所述薄膜晶體管中的所述有源區層和所述電容器中的所述半導體層由共用的半導體材料層形成。

9.根據權利要求8所述的顯示器像素單元，其中所述半導體材料包括多晶硅。

10.根據權利要求8所述的顯示器像素單元，其中所述柵極金屬包括所述第一金屬層的一部分。

11.根據權利要求10所述的顯示器像素單元，其中所述第二金屬層的部分形成所述薄膜晶體管的源極電極和漏極電極。

12.一種顯示器像素單元，包括：

有機發光二極管；

驅動晶體管，具有向所述有機發光二極管施加電流的閾值電壓；

閾值電壓補償電路裝置，其補償所述閾值電壓的變化，其中所述閾值電壓補償電路裝置包括形成于電介質基板上的薄膜晶體管和具有交織堆疊的導電極板的電容器，其中，所述導電極板中的第一導電極板由半導體層形成，所述導電極板中的第二導電極板由第一金屬層形成，以及其中所述導電極板中的第三導電極板由第二金屬層和形成于所述第二金屬層之上并且電連接至所述第二金屬層的第三層金屬層形成。

13.根據權利要求12所述的顯示器像素單元，進一步包括第一電介質層和在所述第一電介質層上的第二電介質層，其中所述電容器中的所述第二金屬層包括在所述第一電介質層上的蝕刻終止層。

14.根據權利要求13所述的顯示器像素單元，其中所述半導體層包括多晶硅，以及其中所述電容器進一步包括在所述多晶硅和所述第一金屬層之間的絕緣體層。

15.根據權利要求14所述的顯示器像素單元，其中所述絕緣體層形成所述薄膜晶體管中的柵極絕緣體。

16.根據權利要求15所述的顯示器像素單元，其中所述薄膜晶體管具有由所述第三金屬層形成的源極端子和漏極端子。