[發(fā)明專利]一種離子注入調(diào)控氮化鉭薄膜電阻阻值的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410662340.0
• 申請(qǐng)日: 2014-11-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104361967B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莊彤;丁明建;李杰成;李錦添;楊俊峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣州天極電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01C17/075
• 分類號(hào): H01C17/075
• 代理公司: 廣州圣理華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司44302
• 代理人: 李唐明

1.一種離子注入調(diào)控氮化鉭薄膜電阻阻值的方法，其特征在于：包括以下步驟：

第一步：將需要注入氮離子的氮化鉭薄膜電阻放置于離子注入設(shè)備的工件放置區(qū)；

第二步：離子注入設(shè)備抽真空達(dá)到1.0×10^-4-1.0×10^-5Pa之間；

第三步：向離子注入設(shè)備中充入純度大于等于99.99％的高純氮?dú)猓闺x子注入腔體的真空度維持在0.1-10Pa之間；

第四步：?jiǎn)?dòng)注入電源，氮?dú)怆婋x，氮離子進(jìn)入氮化鉭薄膜，即完成注入；

第五步：關(guān)閉離子注入電源，腔體繼續(xù)充入氮?dú)庵钡?.01×10⁵Pa；

第六步：打開(kāi)腔體，取出薄膜電阻器，

其中，在第四步中，注入時(shí)的電壓為300-5000V、注入時(shí)間為1min以上。

2.如權(quán)利要求1所述的離子注入調(diào)控氮化鉭薄膜電阻阻值的方法，其特征在于：在第六步完成后，通過(guò)EDS對(duì)薄膜電阻氮原子含量進(jìn)行測(cè)試。

3.如權(quán)利要求1所述的離子注入調(diào)控氮化鉭薄膜電阻阻值的方法，其特征在于：在第六步完成后，對(duì)薄膜電阻的阻值進(jìn)行測(cè)量。