[發明專利]銀納米線/硫化鎘納米顆粒復合材料的制備方法及應用無效
| 申請號： | 201410659746.3 | 申請日： | 2014-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN104475128A | 公開（公告）日： | 2015-04-01 |
| 發明（設計）人： | 崔紅艷;楊賢金;崔振鐸;李朝陽;朱勝利;梁硯琴;高忠輝 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | B01J27/04 | 分類號： | B01J27/04;C02F1/30;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人： | 李麗萍 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 硫化 顆粒 復合材料 制備 方法 應用 | ||
1.一種銀納米線/硫化鎘納米顆粒復合材料的制備方法，其特征在于，步驟如下：
步驟一、首先將摩爾濃度為0.25-5mmol/L的CdCl2和摩爾濃度為0.25-5mmol/L的CN2H4S置于一加入有去離子水的容器中，同時加入質量分數為25％的5ml?NH3·H2O，制備混合溶液A；在將混合溶液A在室溫下攪拌均勻，加入40mg的銀納米線繼續攪拌均勻。
步驟二、將混合溶液A在80～100℃下反應1小時，反應后產物靜置、離心得到沉淀。
步驟三、將步驟二所得到的物質在50～70℃下干燥10小時即可得到直徑為50～100nm的銀納米線/硫化鎘納米顆粒復合材料。
2.根據權利要求1所述銀納米線/硫化鎘納米顆粒復合材料的制備方法，其特征在于，所述銀納米線的直徑為40～60nm。
3.根據權利要求2所述銀納米線/硫化鎘納米顆粒復合材料的制備方法，其特征在于，所述銀納米線的直徑為50nm。
4.根據權利要求1所述銀納米線/硫化鎘納米顆粒復合材料的制備方法，其中，步驟一中CdCl2的摩爾濃度為2mmol/L，CN2H4S的摩爾濃度為2mmol/L。
5.根據權利要求1所述銀納米線/硫化鎘納米顆粒復合材料的制備方法，其中，步驟二、中，反應的加熱溫度為80℃。
6.根據權利要求1所述銀納米線/硫化鎘納米顆粒復合材料的制備方法，其中，步驟二、中，反應后產物的離心速度為8000r/min。
7.根據權利要求1所述銀納米線/硫化鎘納米顆粒復合材料的制備方法，其中，步驟三中，干燥溫度為50℃。
8.根據權利要求1至7任一所述銀納米線/硫化鎘納米顆粒復合材料用于光催化劑。
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