[發(fā)明專利]一種碳納米管異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410658366.8 | 申請日: | 2014-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN104409326A | 公開(公告)日: | 2015-03-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吳禮才 | 申請(專利權(quán))人: | 大足縣眾科管道設(shè)備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02 |
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| 地址: | 402368 重慶*** | 國省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 納米 管異質(zhì) 結(jié)構(gòu) 制備 方法 | ||
1.一種碳納米管異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
將Si樣片為陽極,鉑為陰極,在去離子水、無水乙醇和氫氟酸混合的電解液中電解,使得Si表面形成錐形孔;
通過高溫液相法合成Fe3O4納米粒子催化劑;
將乙酰丙酮鐵溶入油酸油脂和二醇中,在苯醚環(huán)境中高溫?zé)峤猓?/p>
將制備的Fe3O4納米粒子溶液滴在多孔硅表面上,放在空氣中自然干燥;
將制備好的多孔硅樣品置于真空室中,抽本底真空并通入H2,開啟微波源進行預(yù)處理,基底靠加熱系統(tǒng)和等離子體轟擊共同升溫至預(yù)定溫度;
預(yù)處理后,通入CH4和B2H6氣體,進行摻硼碳納米管的制備;
停止通入B2H6,將CH4流量增大,進行純碳納米管的制備;
反應(yīng)結(jié)束后,在多孔Si表面形成了一層黑色的薄膜,即得到碳納米管異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種碳納米管異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法,其特征在于,所述將Si樣片為陽極,鉑為陰極,在去離子水、無水乙醇和氫氟酸混合的電解液中電解,使得Si表面形成錐形孔步驟的具體實現(xiàn)如下:
????將Si樣片為陽極,鉑為陰極,在去離子水、無水乙醇和氫氟酸體積配比為1:1:1~1:2:1的電解液中電解10~30min,在Si表面形成孔徑為幾百納米至幾微米的錐形孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種碳納米管異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法,其特征在于,所述將制備好的多孔硅樣品置于真空室中,抽本底真空并通入H2,開啟微波源進行預(yù)處理,基底靠加熱系統(tǒng)和等離子體轟擊共同升溫至預(yù)定溫度步驟的具體實現(xiàn)如下:
????將制備好的多孔硅樣品置于真空室中,抽本底真空至1~3Pa,通入40~60sccm的H2,開啟微波源,預(yù)處理5~15min,基底靠加熱系統(tǒng)和等離子體轟擊共同升溫至800~1200℃。
4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述一種碳納米管異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法,其特征在于,所述預(yù)處理后,通入CH4和B2H6氣體,進行摻硼碳納米管的制備步驟的具體實現(xiàn)如下:
預(yù)處理結(jié)束后,首先通入CH4和B2H6氣體,CH4:B2H6:H2配比為10:10:50sccm,生長30~50min,進行摻硼碳納米管的制備。
5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述一種碳納米管異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法,其特征在于,所述停止通入B2H6,將CH4流量增大,進行純碳納米管的制備步驟的具體實現(xiàn)如下:
停止通入B2H6,將CH4流量增大到20~60sccm,生長10~50min,進行純碳納米管的制備,其中,生長過程氣壓維持在20~40Pa,溫度5000~7000℃,微波功率500~800W。
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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