[發明專利]一種具有整流的碳化硅JFET柵結構的制備方法有效
| 申請號： | 201410657412.2 | 申請日： | 2014-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN104409335B | 公開（公告）日： | 2017-11-21 |
| 發明（設計）人： | 黃潤華;陶永洪;柏松;陳剛 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號： | H01L21/04 | 分類號： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 南京君陶專利商標代理有限公司32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 整流 碳化硅 jfet 結構 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有整流作用的碳化硅JFET柵結構的制備方法，其特征是包括如下工藝步驟：
1）在第一導電類型襯底上生長第一導電類型層；
2）通過兩組注入分別形成具有第二導電類型的柵接觸區和柵極區兩部分，柵極區和具有第一導電類型的漂移區和溝道區分別形成PN結；
3）通過歐姆退火實現源電極與溝道區和漏電極與第一導電類型襯底之間的歐姆接觸；
4）通過整流柵極接觸退火在柵電極和第二導電類型的柵接觸區之間形成整流柵接觸；
所述整流柵的開啟電壓控制在2V-20V；
所述第一導電類型是n型，并且其中第二導電類型是p型；
所述的柵接觸區表面具有1×1016至1×1018/cm3個原子的摻雜濃度；
所述的柵結構形成柵電極和第二導電類型的柵接觸區整流柵極接觸退火溫度在600℃至900℃。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
