[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及具備該薄膜晶體管基板的顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410653664.8
• 申請日: 2014-11-14
• 公開（公告）號(hào): CN105655344B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張榮芳;沈義和
• 申請（專利權(quán)）人: 群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 賈磊

本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管基板及具備該薄膜晶體管基板的顯示面板，具體包括一基板以及一薄膜晶體管。薄膜晶體管設(shè)置于基板上，并包含一柵極、一柵極介電層、一膜層、一源極及一漏極，柵極設(shè)置于基板上，柵極介電層設(shè)置于柵極及基板上，該膜層設(shè)置于柵極介電層之上，且源極及漏極設(shè)置于該膜層上，并分別接觸該膜層。其中，源極及漏極之間具有一間隔，且對應(yīng)于間隔的該膜層具有一弧形凹部。以此，使得薄膜晶體管基板及具備該薄膜晶體管基板的顯示面板具有較高元件可靠度，并可提高工藝良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于一種薄膜晶體管基板及具備該薄膜晶體管基板的顯示面板。

背景技術(shù)

隨著科技的進(jìn)步，平面顯示面板已經(jīng)廣泛地被運(yùn)用在各種領(lǐng)域，因具有體型輕薄、低功率消耗及無輻射等優(yōu)越特性，已經(jīng)漸漸地取代傳統(tǒng)陰極射線管顯示裝置，而應(yīng)用至許多種類的電子產(chǎn)品中，例如移動(dòng)電話、可攜式多媒體裝置、筆記型電腦、液晶電視及液晶熒幕等等。

以液晶顯示面板為例，已知一種液晶顯示面板包含一薄膜晶體管基板、一彩色濾光基板及一液晶層，薄膜晶體管基板與彩色濾光基板相對而設(shè)，而液晶層夾置于薄膜晶體管基板與彩色濾光基板之間。其中，薄膜晶體管基板具有復(fù)數(shù)薄膜晶體管及復(fù)數(shù)像素電極設(shè)置于一基板上，并可通過控制該些薄膜晶體管而將像素?cái)?shù)據(jù)輸入該些像素電極，藉此可控制液晶層的液晶分子的轉(zhuǎn)向而顯示影像。

由于市場的快速競爭，顯示面板及顯示裝置的尺寸與顯示色彩飽和度的需求也快速增加，同時(shí)也增加對薄膜晶體管電性表現(xiàn)與穩(wěn)定度的要求。其中，以金屬氧化物(Metaloxide-based,MOSs)作為半導(dǎo)體層材料的薄膜晶體管可在室溫中制備，并且擁有良好的電流輸出特性、較低的漏電流與高于非晶硅薄膜晶體管(amorphous silicon thin filmtransistor,a-Si TFT)十倍以上的電子遷移率，可分別降低顯示面板的功率消耗與提升顯示面板的操作頻率，因此，已成為下一代顯示面板及裝置中主流的驅(qū)動(dòng)元件。

然而，雖然金屬氧化物半導(dǎo)體層具有較佳的電性，但是于薄膜晶體管的工藝過程中，當(dāng)薄膜晶體管的源極或漏極的材料選用含有鋁的材料的單層或多層金屬層(例如氮化鉬/鋁/氮化鉬的多層金屬層)，并以濕法付蝕進(jìn)行圖案化時(shí)，刻蝕反應(yīng)后的產(chǎn)物經(jīng)后續(xù)的熱工藝后，會(huì)對氧化物半導(dǎo)體的通道層造成損害，如圖1所示，使得薄膜晶體管的起始電壓由正常的曲線C1產(chǎn)生負(fù)偏而變成曲線C2，因此，將影響薄膜晶體管元件操作的可靠性，進(jìn)而影響顯示面板的可靠度。

因此，如何提供一種薄膜晶體管基板及具備該薄膜晶體管基板的顯示面板，可具有較高的元件可靠度而提高工藝良率，已成為重要課題之一。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的在于提供一種可具有較高元件可靠度而提高工藝良率的薄膜晶體管基板及具備該薄膜晶體管基板的顯示面板。

為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種薄膜晶體管基板，包括一基板以及一薄膜晶體管。薄膜晶體管設(shè)置于基板上，并包含一柵極、一柵極介電層、一膜層、一源極及一漏極，柵極設(shè)置于基板上，柵極介電層設(shè)置于柵極上，該膜層設(shè)置于柵極介電層上，且源極及漏極設(shè)置于該膜層上，并分別接觸該膜層。其中，源極及漏極之間具有一間隔，且對應(yīng)于間隔的該膜層具有一弧形凹部。

為達(dá)上述目的，依據(jù)本發(fā)明的一種顯示面板，包括一薄膜晶體管基板以及一對向基板。薄膜晶體管基板具有一基板及一薄膜晶體管，薄膜晶體管設(shè)置于基板上，并包含一柵極、一柵極介電層、一膜層、一源極及一漏極，柵極設(shè)置于基板上，柵極介電層設(shè)置于柵極上，該膜層設(shè)置于柵極介電層上，且源極及漏極設(shè)置于該膜層上，并分別接觸該膜層，源極及漏極之間具有一間隔，且對應(yīng)于間隔的該膜層具有一弧形凹部。對向基板與薄膜晶體管基板相對設(shè)置。

在一實(shí)施例中，該膜層為薄膜晶體管的一刻蝕阻擋層，且薄膜晶體管更包含一通道層，通道層的材料為金屬氧化物半導(dǎo)體，并設(shè)置于柵極介電層上，且刻蝕阻擋層設(shè)置于通道層上。

在一實(shí)施例中，漏極及源極分別經(jīng)由刻蝕阻擋層的一開口與通道層接觸。