[發(fā)明專利]薄膜晶體管基板及具備該薄膜晶體管基板的顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410653664.8
• 申請日: 2014-11-14
• 公開（公告）號: CN105655344B
• 公開（公告）日: 2019-02-05
• 發(fā)明（設計）人: 張榮芳;沈義和
• 申請（專利權(quán)）人: 群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 賈磊

1.一種薄膜晶體管基板，其特征在于，所述薄膜晶體管基板包括：

一基板；以及

一薄膜晶體管，設置于所述基板上，并包含一柵極、一柵極介電層、一膜層、一源極及一漏極，所述柵極設置于所述基板上，所述柵極介電層設置于所述柵極上，所述膜層設置于所述柵極介電層上，且所述源極及所述漏極設置于所述膜層上，并分別接觸所述膜層，

其中，所述源極及所述漏極之間具有一間隔，且對應于所述間隔的所述膜層具有一弧形凹部；所述膜層為所述薄膜晶體管的一刻蝕阻擋層，且所述薄膜晶體管更包含一通道層，所述通道層的材料為金屬氧化物半導體，并設置于所述柵極介電層上，且所述刻蝕阻擋層設置于所述通道層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述漏極及所述源極分別經(jīng)由所述刻蝕阻擋層的一開口與所述通道層接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，對應于所述間隔的所述刻蝕阻擋層的周緣區(qū)域具有一第一厚度，對應于所述間隔的所述刻蝕阻擋層的中間區(qū)域具有一第二厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，鄰近所述弧形凹部的所述源極或所述漏極與所述刻蝕阻擋層具有一接觸區(qū)域，位于所述接觸區(qū)域的所述刻蝕阻擋層于接近所述弧形凹部處更具有一第三厚度，且所述第三厚度大于所述第一厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述第三厚度與所述第二厚度的差介于20埃至500埃之間。

6.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括：

一薄膜晶體管基板，具有一基板及一薄膜晶體管，所述薄膜晶體管設置于所述基板上，并包含一柵極、一柵極介電層、一膜層、一源極及一漏極，所述柵極設置于所述基板上，所述柵極介電層設置于所述柵極上，所述膜層設置于所述柵極介電層上，且所述源極及所述漏極設置于所述膜層上，并分別接觸所述膜層，所述源極及所述漏極之間具有一間隔，且對應于所述間隔的所述膜層具有一弧形凹部；以及

一對向基板，與所述薄膜晶體管基板相對設置；

其中，所述膜層為所述薄膜晶體管的一刻蝕阻擋層，且所述薄膜晶體管更包含一通道層，所述通道層的材料為金屬氧化物半導體，并設置于所述柵極介電層上，且所述刻蝕阻擋層設置于所述通道層上。