[發(fā)明專利]一種電子封裝用對(duì)接式低阻引線及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410651121.2
• 申請(qǐng)日: 2014-11-17
• 公開（公告）號(hào): CN104439784A
• 公開（公告）日: 2015-03-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 闞云輝;張志成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十三研究所
• 主分類號(hào): B23K37/00
• 分類號(hào): B23K37/00
• 代理公司: 合肥天明專利事務(wù)所 34115
• 代理人: 汪貴艷

1.一種電子封裝用對(duì)接式低阻引線，包括饋通引線段，其特征在于：所述饋通引線段的一端部對(duì)接一低阻引線段，所述饋通引線段的長(zhǎng)度與封裝玻璃的長(zhǎng)度相配合；所述低阻引線段的材料選用電阻率小于饋通引線段的材料電阻率的金屬材料，所述金屬材料的電阻率≤2μΩ·cm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝用對(duì)接式低阻引線，其特征在于：所述金屬材料選用無氧銅、鋯青銅或彌散無氧銅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝用對(duì)接式低阻引線，其特征在于：所述饋通引線段材料的線膨脹系數(shù)為4-10ppm/℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝用對(duì)接式低阻引線，其特征在于：所述饋通引線段的直徑不小于低阻引線段的直徑。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子封裝用對(duì)接式低阻引線，其特征在于：所述饋通引線段和低阻引線段通過同軸焊接連接成一體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子封裝用對(duì)接式低阻引線，其特征在于：所述焊接包括電阻焊接與釬焊。

7.一種如權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的電子封裝用對(duì)接式低阻引線的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）將饋通引線段和低阻引線段的一端部打磨成端面平面度≤0.01mm、表面粗糙度≤0.8μm；

（2）將打磨后的兩端對(duì)接通過電阻焊接或釬焊的方法焊接成一整體；

（3）對(duì)其表面進(jìn)行處理和機(jī)械加工。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述步驟（2）中電阻焊接是指將饋通引線段、低阻引線段打磨的一端相對(duì)穿套在電阻焊機(jī)的定位絕緣套內(nèi)，其伸出定位絕緣套的長(zhǎng)度不超過1mm；將定位絕緣套夾持在焊接電極兩側(cè)，調(diào)節(jié)電阻焊機(jī)功率以達(dá)到饋通引線段和低阻引線段的熔點(diǎn)，瞬間放電將兩引線段焊接為一整體。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于：所述步驟（2）中釬焊接是指將饋通引線段、高溫焊料和低阻引線段依次垂直裝配到燒結(jié)模具的垂直孔內(nèi)，并置于窯爐內(nèi)，在氮?dú)獗Ｗo(hù)下保溫10±5分鐘后冷卻至常溫，即將饋通引線段和低阻引線段焊接成一整體；所述窯爐內(nèi)溫度高于高溫焊料的熔點(diǎn)30-50℃。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于：所述高溫焊料為金銅合金焊料，所述金銅合金焊料中銅的質(zhì)量分?jǐn)?shù)不低于20%。