[發明專利]一種可溶性并苯化合物及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 201410645827.8
• 申請日: 2014-11-12
• 公開（公告）號: CN105585589B
• 公開（公告）日: 2018-10-23
• 發明（設計）人: 劉月中;林瓏;繆拉·居爾丘爾;鄂彥鵬;賈曉雷;邢穎;王瑛
• 申請（專利權）人: 中國中化股份有限公司;沈陽化工研究院有限公司
• 主分類號: C07F7/08
• 分類號: C07F7/08;C07C15/56;C07C1/32;C07C25/22;C07C17/04;C07C13/567;C07C5/31;H01L51/30;H01L51/05
• 代理公司: 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002
• 代理人: 李穎;何薇

1.一種可溶性并苯化合物，其特征在于：化合物具體結構為：

2.一種權利要求1所述的可溶性并苯化合物的制備方法，其特征在于：將4-烷基鹵化苯與異丙醇頻哪醇硼酸酯進行酯化反應；再將所得產物與1,4-二溴-2,5-二碘苯進行鈴木偶聯反應；鈴木偶聯反應所得產物與含取代基的端炔或頻哪醇硼酸酯化合物進行Sonogashira反應；所得產物進行環化反應，得到權利要求1所述的可溶性并苯化合物。

3.按權利要求2所述的可溶性并苯化合物的制備方法，其特征在于：

所述酯化反應時，將4-烷基鹵化苯與異丙醇頻哪醇硼酸酯以1:1～1:3的摩爾比在溶劑的存在下于-78℃～-50℃進行酯化反應6～24小時；

所述酯化反應的產物與1,4-二溴-2,5-二碘苯以1:1～3:1的摩爾比在有機鈀催化劑和溶劑的存在下，于80℃～110℃進行鈴木偶聯反應6～30小時；所述有機鈀催化劑添加量為1,4-二溴-2,5-二碘苯物質的量(mol)的1％～20％；

所述鈴木偶聯反應所得產物與含取代基的端炔或頻哪醇硼酸酯化合物以1:2～1:6的摩爾比在有機鈀催化劑、碘化亞銅、和溶劑的存在下，于20℃～40℃進行Sonogashira反應12～36小時；有機鈀催化劑添加量為含端炔或頻哪醇硼酸酯化合物物質的量(mol)的1％～20％，碘化亞銅添加量為端炔或頻哪醇硼酸酯化合物物質的量(mol)的1％～20％；

所述Sonogashira反應所得產物在催化劑和溶劑的存在下于40℃～80℃進行環化反應12～36小時；催化劑添加量為反應物物質的量(mol)的3％～20％。

4.按權利要求3所述的可溶性并苯化合物的制備方法，其特征在于：所述酯化反應、鈴木偶聯反應、Sonogashira反應及環化反應中所采用的溶劑為甲苯、四氫呋喃、二氯甲烷中一種或幾種；

所述有機鈀催化劑為四三苯基膦鈀、醋酸鈀、三(二亞芐基丙酮)二鈀、雙三苯基膦二氯化鈀中一種或幾種；

所述環化反應采用的催化劑為二氯化鉑、一氯化碘、氯化亞金中一種或幾種。

5.一種有機薄膜晶體管用材料，其特征在于:所述有機薄膜晶體管用材料為權利要求1所述化合物。

6.按權利要求5所述的有機薄膜晶體管用材料，其特征在于:權利要求1所述化合物作為旋涂用材料。

7.一種有機薄膜晶體管，其特征在于：有機薄膜晶體管為基板、設置有柵極的介電層和兩端分別設置有漏電極和源電極的半導體層，所述半導體層為權利要求1所述的可溶性并苯化合物；

其中，所述半導體層復合于所述介電層上，所述介電層復合于所述基板上：或者所述介電層復合于所述半導體層上，所述半導體層復合于所述基板上。

8.按權利要求7所述的有機薄膜晶體管，其特征在于：所述半導體層是將權利要求1所述的可溶性并苯化合物由有機溶劑溶解，而后經退火、沉積電極，即得到半導體層。

9.按權利要求8所述的有機薄膜晶體管，其特征在于：所述有機溶劑為三氯甲烷、三氯乙烷、氯苯、二氯苯、三氯苯、氯代甲苯、甲苯、二甲苯、苯甲醚、四氫萘或三甲苯。