[發(fā)明專利]一種納米單元結(jié)構(gòu)的渦旋態(tài)磁存儲(chǔ)單元有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410642816.4 | 申請(qǐng)日： | 2014-11-14 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104575583A | 公開（公告）日： | 2015-04-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄧龍江;畢美;王昕;張麗;陸海鵬;謝建良 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 電子科技大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G11C11/15 | 分類號(hào)： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 電子科技大學(xué)專利中心 51203 | 代理人： | 張楊 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 納米 單元 結(jié)構(gòu) 渦旋 存儲(chǔ) | ||
1.一種納米單元結(jié)構(gòu)的渦旋態(tài)磁存儲(chǔ)單元，其特征在于：在普通圓盤形磁渦旋結(jié)構(gòu)單元邊緣加厚形成凹槽狀的圓盤形結(jié)構(gòu)，凹槽外徑D的最小值為80nm,其凹槽深4-68nm，凹槽內(nèi)徑d大于8nm，單元整體厚度為16-136nm。
2.如權(quán)利要求1所述納米單元結(jié)構(gòu)的渦旋態(tài)磁存儲(chǔ)單元，其特征在于：所述凹槽單元結(jié)構(gòu)的整體厚度為20nm,凹槽深4nm,外徑尺寸為80nm,內(nèi)徑為60nm。
3.如權(quán)利要求1或2所述納米單元結(jié)構(gòu)的渦旋態(tài)磁存儲(chǔ)單元，其特征在于：制備材料為Co、Ni、Fe或Co/Ni/Fe的合金。
4.如權(quán)利要求1或2所述納米單元結(jié)構(gòu)的渦旋態(tài)磁存儲(chǔ)單元，其特征在于：制備材料為NiFe軟磁材料，其飽和磁化強(qiáng)度為Ms＝8.6×105A/m、交換積分分別為A＝1.3×10-11J/m。
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