[發明專利]能夠避免沾污的多晶硅磷摻雜后處理清洗方法在審
| 申請號： | 201410641577.0 | 申請日： | 2014-11-12 |
| 公開（公告）號： | CN104409324A | 公開（公告）日： | 2015-03-11 |
| 發明（設計）人： | 楊微;宋洪德;趙衛;劉金虎;宋立明;孔維東 | 申請（專利權）人： | 吉林華微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 長春菁華專利商標代理事務所 22210 | 代理人： | 陶尊新 |
| 地址： | 132013*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 能夠 避免 沾污 多晶 摻雜 處理 清洗 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種能夠避免沾污的多晶硅磷摻雜后處理清洗方法，首先采用摩爾比為HF:H2O＝1:10的酸性清洗液清洗經多晶硅磷摻雜之后的硅片，在將硅片表面的SiO2氧化層漂掉的同時去掉硅片表面殘余的HF和副產物SiF4；其特征在于，其次，采用NH4OH:H2O2:H2O的摩爾比為1:1:5、1:2:5、1:2:7這三種比例之一的堿性清洗液繼續清洗硅片，所述堿性清洗液的溫度為55～65℃，清洗時間為3～6分鐘。
2.根據權利要求1所述的能夠避免沾污的多晶硅磷摻雜后處理清洗方法，其特征在于，當NH4OH:H2O2:H2O的摩爾比為1:1:5時，所述堿性清洗液的溫度為55℃，之后用超純水清洗5分鐘。
3.根據權利要求1所述的能夠避免沾污的多晶硅磷摻雜后處理清洗方法，其特征在于，當NH4OH:H2O2:H2O的摩爾比為1:2:5時，所述堿性清洗液的溫度為60℃，之后用超純水清洗5分鐘。
4.根據權利要求1所述的能夠避免沾污的多晶硅磷摻雜后處理清洗方法，其特征在于，當NH4OH:H2O2:H2O的摩爾比為1:2:7時，所述堿性清洗液的溫度為65℃，之后用超純水清洗5分鐘。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
