[發(fā)明專利]陣列基板及顯示器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410637552.3
• 申請日: 2012-09-05
• 公開（公告）號: CN104330933B
• 公開（公告）日: 2017-07-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉莎
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11002
• 代理人: 李相雨

本申請是申請日為2012年09月05日，申請?zhí)枮?01210326702.X的發(fā)明專利申請“陣列基板及顯示器件”的分案申請。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及顯示器件。

背景技術(shù)

近些年來，薄膜晶體管液晶顯示器憑借其低功耗，無輻射等優(yōu)點逐漸成為目前顯示產(chǎn)品市場的主流趨勢。

圖1為一種傳統(tǒng)TFT-LCD中像素的平面結(jié)構(gòu)示意圖，圖1a和圖1b分別為圖1中兩個局部區(qū)域的放大圖，圖2對應(yīng)于圖1中的A-A′位置的剖視圖，在圖示的像素結(jié)構(gòu)中，公共電極1為板狀電極，像素電極2為條狀電極，像素電極2位于公共電極1上方，像素電極2與公共電極1之間形成邊緣電場E_f，并且公共電極1與像素電極2之間有很大的交疊面積，即公共電極1與像素電極2分別在基板上的投影的重合面積很大，由此在公共電極1和像素電極2之間形成的存儲電容較大，基于該像素結(jié)構(gòu)所形成的顯示器件中易出現(xiàn)與像素的充放電相關(guān)的不良現(xiàn)象，對于大尺寸高頻率的顯示面板制造而言，該問題將會愈加嚴(yán)重。

發(fā)明內(nèi)容

(一)要解決的技術(shù)問題

本發(fā)明要解決的首要技術(shù)問題是如何增強(qiáng)液晶顯示器件中的液晶光效，以實現(xiàn)其高透過率；

本發(fā)明進(jìn)一步要解決的技術(shù)問題是如何避免像素電極與公共電極間存儲電容過大所出現(xiàn)的充放電不良的現(xiàn)象。

(二)技術(shù)方案

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括形成在基板上的公共電極和像素電極；所述公共電極包括第一公共電極和第二公共電極，所述第一公共電極設(shè)置于所述像素電極下方并通過絕緣層與所述像素電極隔開，所述第二公共電極與所述像素電極同層設(shè)置，所述像素電極為條狀電極，所述第二公共電極為條狀電極且與所述像素電極相互間隔排列。

其中，所述第一公共電極為板狀電極。

其中，所述像素電極在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第一投影完全落入所述第二投影內(nèi)。

其中，所述第一公共電極為條狀電極。

其中，所述第一公共電極的寬度小于所述像素電極的寬度；所述像素電極在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第二投影完全落入所述第一投影內(nèi)。

其中，所述像素電極在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第一投影寬度方向的兩端區(qū)域分別與兩個相鄰第二投影的部分區(qū)域重合。

其中，所述第一公共電極的寬度大于相鄰的兩個像素電極之間開口的寬度。

其中，所述第一投影與第二投影重合區(qū)域的寬度為6μm-10μm。

其中，每條所述像素電極和第二公共電極分別包括一體形成的兩部分電極，該兩部分電極之間具有一定夾角。

本發(fā)明還公開了一種顯示器件，該顯示器件包括上述任一項所述的陣列基板。

(三)有益效果

上述技術(shù)方案所提供的陣列基板及顯示器件，通過設(shè)置條狀的像素電極，并在像素電極下方設(shè)置第一公共電極以形成邊緣電場，與像素電極同層設(shè)置條狀第二公共電極且使像素電極與第二公共電極間隔布置，以形成面內(nèi)電場，從而達(dá)到增強(qiáng)液晶光效、實現(xiàn)高透過率的技術(shù)效果，高透過率的陣列基板還能大大節(jié)省顯示器件中背光源的能量損耗，同時條狀分布的像素電極結(jié)構(gòu)也能夠避免傳統(tǒng)TFT-LCD中像素中心區(qū)域透過率較低的現(xiàn)象；此外，由于設(shè)置第二公共電極，像素電極的面積相對減小，從而與第一公共電極的交疊面積會在一定程度上減少，能夠解決像素結(jié)構(gòu)中由于存儲電容過大引起的充放電不良等技術(shù)問題。

附圖說明

圖1示出了傳統(tǒng)TFT-LCD像素的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1a示出了圖1中M區(qū)域的局部放大圖；

圖1b示出了圖1中N區(qū)域的局部放大圖；

圖2示出了傳統(tǒng)TFT-LCD中電極與電場的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示出了本發(fā)明實施例1中TFT-LCD像素的平面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4示出了本發(fā)明實施例1中與圖4中A-A′位置對應(yīng)的剖視結(jié)構(gòu)及電場狀態(tài)示意圖；

圖5示出了基于本發(fā)明實施例1的顯示器件對應(yīng)于圖4中B-B′位置的剖視圖；

圖6示出了本發(fā)明實施例2中與圖4中A-A′位置對應(yīng)的剖視結(jié)構(gòu)及電場狀態(tài)示意圖；

圖7示出了基于本發(fā)明實施例2的顯示器件對應(yīng)于圖4中B-B′位置的剖視圖；