[發明專利]無水電化學刻蝕銅鋅錫硫薄膜材料表面的方法

有效

• 申請號: 201410620628.1
• 申請日: 2014-11-06
• 公開（公告）號: CN105633203B
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發明（設計）人: 葉勤燕;張永政;廖成;劉江;何緒林;劉煥明;梅軍
• 申請（專利權）人: 中物院成都科學技術發展中心
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 四川力久律師事務所51221
• 代理人: 曹晉玲,劉雪蓮

1.無水電化學刻蝕銅鋅錫硫薄膜材料表面的方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟(1)：銅鋅錫硫薄膜材料在恒溫管式退火爐中硒化或硫化，然后放置在電化學工作站，僅襯底和Mo背電極連接工作電極；然后在無水乙醇中浸泡1～2min，除去表面顆粒雜質，高純氮氣吹干；

步驟(2)：配制處理溶液，所述處理溶液為0.001～1M/L的無水氯鹽和離子液的混合溶液，所述離子液為氯化膽堿與尿素按質量比1:0.1～3混合而成；所述氯鹽選自氯化鈉、氯化鉀、氯化鎂、氯化鋅或氯化銅的任一種或一種以上的混合物；

步驟(3)：將步驟(1)處理的銅鋅錫硫薄膜材料放入步驟(2)制得的處理溶液，加熱步驟(2)制得的處理溶液，施加電信號，處理1～600S后取出所述銅鋅錫硫薄膜材料，用去離子水沖洗，高純氮氣吹干，所述電信號為循環伏安電信號、恒壓電信號、恒流電信號、脈沖電壓電信號或脈沖電流電信號的任一種。

2.根據權利要求1所述的無水電化學刻蝕銅鋅錫硫薄膜材料表面的方法，其特征在于，所述氯鹽的濃度為0.001～0.3M/L。

3.根據權利要求2所述的無水電化學刻蝕銅鋅錫硫薄膜材料表面的方法，其特征在于，所述氯鹽的濃度為0.2M/L。

4.根據權利要求1所述的無水電化學刻蝕銅鋅錫硫薄膜材料表面的方法，其特征在于，所述氯化膽堿與尿素的質量比為1:2。

5.根據權利要求1所述的無水電化學刻蝕銅鋅錫硫薄膜材料表面的方法，其特征在于，步驟(3)中，加熱處理溶液至60℃～80℃。

6.根據權利要求1～5任一項所述的無水電化學刻蝕銅鋅錫硫薄膜材料表面的方法，其特征在于，所述電信號選自以下任一種：

A.電信號為循環伏安電信號，所述循環伏安電信號的電壓范圍為-1～1V；

B.所述電信號為恒壓電信號，所述恒壓電信號的電壓范圍為0.01～1.5V；

C.所述電信號為恒流電信號，所述恒流電信號的電流范圍為0.01～100mA/cm²；

D.所述電信號為脈沖電壓電信號，所述脈沖電壓電信號的電壓范圍為0.1～1.5V，脈沖時間為5ms，間隔時間為50ms；

E.所述電信號為脈沖電流電信號，所述脈沖電流電信號的電流范圍為0.01～200mA/cm²，脈沖時間為5ms，間隔時間為50ms。

7.根據權利要求1所述的無水電化學刻蝕銅鋅錫硫薄膜材料表面的方法，其特征在于，所述銅鋅錫硫薄膜的基底選自鈉鈣玻璃、聚酰亞胺、不銹鋼、鉬箔片、鋁箔片、銅箔片或鈦箔片的任一種。

8.根據權利要求1所述的無水電化學刻蝕銅鋅錫硫薄膜材料表面的方法，其特征在于，所述電化學工作站的工作模式為三電極體系，包括工作電極、參比電極和鉑網電極，所述的參比電極為Pt電極，所述參比電極的電勢相對標準氫電勢為-0.72V。

9.根據權利要求1所述的無水電化學刻蝕銅鋅錫硫薄膜材料表面的方法，其特征在于，所述氯鹽選自氯化鈉或氯化鉀的任一種。