[發(fā)明專利]元器件內(nèi)置模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410612268.0 | 申請日： | 2014-11-04 |
| 公開（公告）號： | CN104701280B | 公開（公告）日： | 2018-06-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 大坪喜人 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社村田制作所 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/498;H01L23/13 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 俞丹 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 端子電極 內(nèi)置模塊 外部基板 接合 元器件 焊料 多層基板 接合材料 接合部 連接性 短路 樹脂 內(nèi)部連接 外部電極 外部連接 上表面 下表面 | ||
1.一種元器件內(nèi)置模塊，其特征在于，包括：
核心基板；以及
元器件內(nèi)置層，該元器件內(nèi)置層設(shè)置在所述核心基板的一個主面上，
所述元器件內(nèi)置層具有：
安裝元器件，該安裝元器件安裝在所述核心基板的一個主面的安裝區(qū)域內(nèi)；
多個第1端子電極，該多個第1端子電極設(shè)置在所述元器件內(nèi)置層的與所述核心基板相反一側(cè)的一個主面上，且用于進行外部連接；
多個第2端子電極，該多個第2端子電極設(shè)置在所述元器件內(nèi)置層的與核心基板相對的另一個主面上，并與所述核心基板的一個主面相連接，且用于進行內(nèi)部連接；
連接導(dǎo)體，該連接導(dǎo)體將各所述第1端子電極與各所述第2端子電極相連接；以及
連接用元器件，該連接用元器件安裝在所述核心基板的一個主面上，且設(shè)置在所述元器件內(nèi)置層中，
在所述元器件內(nèi)置層的一個主面上形成有各所述第1端子電極的第1形成區(qū)域的面積比在所述元器件內(nèi)置層的另一個主面上形成有各所述第2端子電極的第2形成區(qū)域的面積要大，
在所述連接用元器件上形成有所述第1形成區(qū)域及所述第2形成區(qū)域，并且，在所述連接用元器件的內(nèi)部設(shè)有所述連接導(dǎo)體，
相鄰的所述第1端子電極彼此的中心之間的間隔比相鄰的所述第2端子電極彼此的中心之間的間隔要大。
2.如權(quán)利要求1所述的元器件內(nèi)置模塊，其特征在于，所述安裝區(qū)域配置于所述核心基板的一個主面的至少中央部分，
所述第2形成區(qū)域的各所述第2端子電極與所述核心基板的一個主面的所述安裝區(qū)域的外側(cè)相連接，所述第1形成區(qū)域形成為俯視時與所述第2形成區(qū)域局部重合。
3.如權(quán)利要求1所述的元器件內(nèi)置模塊，其特征在于，所述連接用元器件由樹脂多層基板形成，在該樹脂多層基板的內(nèi)部形成有通孔導(dǎo)體及面內(nèi)導(dǎo)體作為所述連接導(dǎo)體。
4.如權(quán)利要求1或3所述的元器件內(nèi)置模塊，其特征在于，多個所述連接用元器件安裝在所述核心基板的一個主面上。
5.如權(quán)利要求1所述的元器件內(nèi)置模塊，其特征在于，所述第1形成區(qū)域配置成俯視時與所述第2形成區(qū)域及所述安裝區(qū)域兩者都重合。
6.如權(quán)利要求1所述的元器件內(nèi)置模塊，其特征在于，所述第1形成區(qū)域形成為俯視時與所述核心基板相一致并重合。
7.如權(quán)利要求1所述的元器件內(nèi)置模塊，其特征在于，所述核心基板俯視時呈矩形，
在所述元器件內(nèi)置層的另一個主面上，分離地設(shè)置有分別配置于所述核心基板的一個主面的各個角落部部分的4個所述第2形成區(qū)域。
8.如權(quán)利要求1所述的元器件內(nèi)置模塊，其特征在于，所述第1端子電極的面積大于所述第2端子電極的面積。
9.如權(quán)利要求1所述的元器件內(nèi)置模塊，其特征在于，還具備安裝在所述核心基板的另一個主面上的其它安裝元器件。
10.如權(quán)利要求1所述的元器件內(nèi)置模塊，其特征在于，所述元器件內(nèi)置層還具備覆蓋所述安裝元器件的樹脂層。
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