[發明專利]基于氧化鈹陶瓷基板的COB式LED封裝件及生產方法

有效

• 申請號: 201410596571.6
• 申請日: 2014-10-30
• 公開（公告）號: CN104332550A
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發明（設計）人: 連軍紅;張弘;慕蔚;邵榮昌;王江
• 申請（專利權）人: 天水華天科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48
• 代理公司: 甘肅省知識產權事務中心 62100
• 代理人: 周立新

1.一種基于氧化鈹陶瓷基板的COB式LED封裝件，包括基板和多個發光二極管，其特征在于，基板（1）采用氧化鈹陶瓷板制成；基板（1）上設有筒形的圍壩（3），圍壩（3）內對稱設置有弧形的第一電極（2）和弧形的第二電極（7）；基板（1）上的固晶區內設有多個發光二極管（4），所有的發光二極管（4）面陣列對稱分布，其中若干個發光二極管（4）的陽極分別與第一電極（2）相連接，還有若干個發光二極管（4）的陰極分別與第二電極（7）相連接，陽極與第一電極（2）相連接的發光二極管（4）的數量和陰極與第二電極（7）相連接的發光二極管（4）的數量相同；一個陽極與第一電極（2）相連的發光二極管（4）的陰極和一個陰極與第二電極（7）相連的發光二極管（4）的陽極之間依次串聯有若干個發光二極管（4），該陽極與第一電極（2）相連接的發光二極管（4）和該陰極與第二電極（7）相連接的發光二極管（4）以及中間串接的若干個發光二極管（4）共同構成一條串聯電路，固晶區內的所有串聯電路互不交叉，圍壩（3）內固封有熒光粉膠（6），兩個電極和所有的發光二極管（4）均固封于熒光粉膠（6）內。

2.根據權利要求1所述的基于氧化鈹陶瓷基板的COB式LED封裝件，其特征在于，每條串聯電路均由數量相同的發光二極管（4）組成。

3.根據權利要求1或2所述的基于氧化鈹陶瓷基板的COB式LED封裝件，其特征在于，一條串聯電路內所有發光二極管（4）中相鄰兩個發光二極管（4）之間通過鍵合線（5）相連接。

4.根據權利要求1所述的基于氧化鈹陶瓷基板的COB式LED封裝件，其特征在于，所述熒光粉膠（6）的上表面向封裝件內部凹陷形成一凹面。

5.一種權利要求1所述基于氧化鈹陶瓷基板的COB式LED封裝件的生產方法，其特征在于，該生產方法具體按以下步驟進行：

步驟1：清洗氧化鈹陶瓷板，形成基板；

步驟2：將基板置于300目的尼龍絲網版下，按照電極圖形對準基板和網版之間的位置，將銀漿從網版上刮至基板表面；在950℃±5℃的溫度下烘烤60min，自然冷卻，完成電極的燒結；

步驟3：在基板上點膠形成圍壩膠，放入溫度為190±5℃的烘箱中，恒溫烘烤30min，形成氧化鈹陶瓷基板；

步驟4：對氧化鈹陶瓷基板進行除濕；

步驟5：采用等離子清洗技術清洗除濕后的氧化鈹陶瓷基板；

步驟6：采用全自動固晶技術，在氧化鈹陶瓷基板的固晶區同時固定多顆LED芯片；固晶時采用陣列式固晶方法，粘貼LED芯片的絕緣膠厚度＜15μm；

步驟7：在溫度為50℃的烘箱內，使烘箱溫度以4℃/min的速率從50℃升至170℃，恒溫烘烤120min，再以1.7℃/min的速率降溫至50℃，完成烘烤；

步驟8：采用金線鍵合，鍵合拉力大于6.6g；

步驟9：在80～85℃的溫度下，烘烤60分鐘；

步驟10：按照產品正白要求，通過試驗設計方法確定產品熒光粉膠的配方，然后按該配方取封裝膠水和熒光粉，充分攪拌混合，形成均勻的熒光粉膠，在45min內完成點膠并進入下一步驟的后固化烘烤；?

步驟11：后固化

步驟12：落料、分光測試、包裝、入庫，制得基于氧化鈹陶瓷基板的COB式LED封裝件。

6.根據權利要求5所述的基于氧化鈹陶瓷基板的COB式LED封裝件的生產方法，其特征在于，所述步驟2中，基板和網版之間的距離為0.1±0.01mm。

7.根據權利要求5所述的基于氧化鈹陶瓷基板的COB式LED封裝件的生產方法，其特征在于，所述步驟3中，圍壩膠的高度為0.6mm±0.01mm、厚度為1mm±0.01mm。

8.根據權利要求5所述的基于氧化鈹陶瓷基板的COB式LED封裝件的生產方法，其特征在于，所述步驟4中，在155℃±5℃的溫度下，烘烤60min，對氧化鈹陶瓷基板進行除濕。

9.根據權利要求5所述的基于氧化鈹陶瓷基板的COB式LED封裝件的生產方法，其特征在于，所述步驟11中，在溫度為25℃的固化烘箱內，以5.5℃/s的升溫速率從25℃升溫至80℃，恒溫烘烤1h后，再以4.1℃/s的速率升溫至150℃，恒溫烘烤3h，最后以1.4℃/s的速率降溫至80℃，完成后固化。

10.根據權利要求5所述的基于氧化鈹陶瓷基板的COB式LED封裝件的生產方法，其特征在于，所述步驟12中，在落料過程中，上刀片和下刀片的深度之和小于基板厚度0.4±0.05mm，刀片轉速為30mm/s。