[發(fā)明專利]一種半干膜轉(zhuǎn)移石墨烯的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410595764.X | 申請日： | 2014-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN104386674A | 公開（公告）日： | 2015-03-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王小蓓;楊軍;王煒;譚化兵 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫格菲電子薄膜科技有限公司 |
| 主分類號： | C01B31/04 | 分類號： | C01B31/04 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11249 | 代理人： | 陸菊華 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫市惠山經(jīng)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半干膜 轉(zhuǎn)移 石墨 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種半干膜轉(zhuǎn)移石墨烯的方法，包括如下步驟：
（1）將第一基底上的石墨烯與半干膜貼合在一起；
（2）再將半干膜貼合到第二基底上，固化；
（3）除去第一基底，得到轉(zhuǎn)移至第二基底上的石墨烯。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述半干膜轉(zhuǎn)移石墨烯的方法，其特征在于，所述半干膜為熱固性或UV固化型的聚酯膜、聚氨酯膜或環(huán)氧樹脂膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述半干膜轉(zhuǎn)移石墨烯的方法，其特征在于，所述半干膜的厚度為1-30微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述半干膜轉(zhuǎn)移石墨烯的方法，其特征在于，所述第二基底為聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯、聚丙烯、玻璃或硅片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述半干膜轉(zhuǎn)移石墨烯的方法，其特征在于，采用化學腐蝕法、機械剝離法或鼓泡法除去第一基底。
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于無錫格菲電子薄膜科技有限公司，未經(jīng)無錫格菲電子薄膜科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410595764.X/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 轉(zhuǎn)移支撐件及轉(zhuǎn)移模塊
- 轉(zhuǎn)移頭及其制備方法、轉(zhuǎn)移方法、轉(zhuǎn)移裝置
- 器件轉(zhuǎn)移裝置、轉(zhuǎn)移系統(tǒng)及轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移設(shè)備和轉(zhuǎn)移系統(tǒng)
- 轉(zhuǎn)移基板及制備方法、轉(zhuǎn)移裝置、轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移裝置與轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移系統(tǒng)和轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移膜、轉(zhuǎn)移組件和微器件曲面轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移頭、轉(zhuǎn)移裝置和轉(zhuǎn)移方法
- 轉(zhuǎn)移工具及轉(zhuǎn)移方法
