[發(fā)明專(zhuān)利]一種引信探測(cè)器及其探測(cè)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410593886.5
• 申請(qǐng)日: 2014-10-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104345349A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡秀娟;計(jì)春雷;黎明
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海電機(jī)學(xué)院
• 主分類(lèi)號(hào): G01V3/08
• 分類(lèi)號(hào): G01V3/08;F42C19/00
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種引信探測(cè)器，其特征在于，包括探測(cè)模塊、信號(hào)處理模塊、反饋模塊、目標(biāo)識(shí)別模塊和執(zhí)行模塊；

所述探測(cè)模塊采用非晶絲微磁探測(cè)器探測(cè)電路，用于探測(cè)目標(biāo)信息，并輸出反映探測(cè)目標(biāo)信息的多諧信號(hào)；

所述信號(hào)處理模塊與所述探測(cè)模塊相連，對(duì)所述多諧信號(hào)進(jìn)行處理并輸出直流電壓信號(hào)；

所述反饋模塊兩端分別連接所述信號(hào)處理模塊和探測(cè)模塊，將信號(hào)處理模塊輸出的直流電壓信號(hào)與參考值進(jìn)行比較之后經(jīng)過(guò)V/I轉(zhuǎn)換，輸出隨外磁場(chǎng)變化的電流信號(hào)，并產(chǎn)生反饋磁場(chǎng)，對(duì)探測(cè)模塊進(jìn)行反饋；

所述目標(biāo)識(shí)別模塊與所述信號(hào)處理模塊相連，對(duì)所述直流電壓信號(hào)進(jìn)行目標(biāo)識(shí)別，輸出識(shí)別信息；

所述執(zhí)行模塊與所述目標(biāo)識(shí)別模塊相連，根據(jù)所述識(shí)別信息執(zhí)行引爆操作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引信探測(cè)器，其特征在于，所述非晶絲微磁探測(cè)器探測(cè)電路包括單磁芯雙繞組諧振電路和非晶絲脈沖電流激勵(lì)電路，所述單磁芯雙繞組諧振電路針對(duì)非晶絲采用雙線并繞法均勻密繞兩組線圈，將兩組線圈串聯(lián)反接，公共端接至橋路電源正極；所述非晶絲脈沖電流激勵(lì)電路給所述單磁芯雙繞組諧振電路中的非晶絲提供勵(lì)磁電流信號(hào)，使非晶絲產(chǎn)生阻抗效應(yīng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的引信探測(cè)器，其特征在于，所述非晶絲脈沖電流激勵(lì)電路由科爾皮茲振蕩電路和非晶絲微分緩沖激勵(lì)電路復(fù)合而成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引信探測(cè)器，其特征在于，所述信號(hào)處理模塊包括：依次連接的差分高通濾波器、第一放大器、RC低通濾波器和第二放大器，且所述第一個(gè)放大器的增益大于第二個(gè)放大器。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的引信探測(cè)器，其特征在于，所述信號(hào)處理模塊還包括微控制器和與所述微控制器輸出端相連的峰值檢波電路，所述微控制器與第二放大器的輸出端相連，將第二放大器的輸出數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，并輸出至峰值檢波電路進(jìn)行信號(hào)峰值檢測(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的引信探測(cè)器，其特征在于，所述反饋模塊包括依次連接的比較器、V/I轉(zhuǎn)換電路、反饋線圈和反饋電阻，所述比較器的第一輸入端與所述信號(hào)處理模塊的輸出端相連，比較器的輸出端與V/I轉(zhuǎn)換電路相連。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引信探測(cè)器，其特征在于，所述目標(biāo)識(shí)別模塊包括依次串聯(lián)的數(shù)據(jù)采集及預(yù)處理電路、干擾信號(hào)識(shí)別及閉鎖電路、頻率及幅度識(shí)別電路、增幅速率識(shí)別電路、信號(hào)持續(xù)時(shí)間識(shí)別電路和特性準(zhǔn)則識(shí)別電路。

8.一種引信探測(cè)方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：探測(cè)模塊采用非晶絲微磁探測(cè)器探測(cè)電路探測(cè)目標(biāo)信息，并輸出多諧信號(hào)；

S2：信號(hào)處理模塊對(duì)所述多諧信號(hào)進(jìn)行處理并輸出直流電壓信號(hào)；

S3：反饋模塊將所述直流電壓信號(hào)與參考值進(jìn)行比較之后經(jīng)過(guò)V/I轉(zhuǎn)換，輸出隨外磁場(chǎng)變化的電流信號(hào)，并產(chǎn)生反饋磁場(chǎng)，對(duì)探測(cè)模塊進(jìn)行反饋；

S4：目標(biāo)識(shí)別模塊對(duì)所述直流電壓信號(hào)進(jìn)行目標(biāo)識(shí)別，輸出識(shí)別信息；

S5：執(zhí)行模塊根據(jù)所述識(shí)別信息執(zhí)行引爆操作。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的引信探測(cè)方法，其特征在于，所述步驟S4中的目標(biāo)識(shí)別包括數(shù)據(jù)采集及預(yù)處理和識(shí)別處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的引信探測(cè)方法，其特征在于，所述識(shí)別處理是指：對(duì)數(shù)據(jù)的干擾信號(hào)識(shí)別、頻率識(shí)別、幅度識(shí)別、信號(hào)持續(xù)時(shí)間識(shí)別及特性準(zhǔn)則識(shí)別。