[發明專利]提高鹽霉素發酵水平的方法

有效

• 申請號: 201410592641.0
• 申請日: 2014-10-28
• 公開（公告）號: CN104388491B
• 公開（公告）日: 2017-10-10
• 發明（設計）人: 白林泉;蘆晨陽;蔣明;康前進
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: C12P17/18
• 分類號: C12P17/18;C12R1/47
• 代理公司: 上海科盛知識產權代理有限公司31225
• 代理人: 楊元焱

1.一種提高鹽霉素發酵水平的方法，是通過在白色鏈霉素DSMZ41398(Streptomyces albus DSMZ41398)的染色體1,200,120bp-1,200,750bp位置引入基因突變，導致位于SLNWT0868-SLNWT0920(1,173,724bp-1,276,916bp)的I型PKS生物合成基因簇失活，使鹽霉素在發酵中的產量得以提高；

所述白色鏈霉素DSMZ41398染色體上1,200,120bp-1,200,750bp的序列如SEQ ID NO.1所示；

所述I型PKS生物合成基因簇失活的構建步驟如下：

第一步：設計并構建用于1,200,120bp-1,200,750bp區域進行失活的同源重組質粒載體I；

第二步：將第一步構建得到的質粒載體I結合轉移導入受體菌白色鏈霉素DSMZ41398中進行同源重組；

第三步：通過對突變株的篩選和驗證硫鏈絲菌素抗性驗證，并通過PCR產物片段大小的差異篩選得到SLNWT0868-SLNWT0920(1,173,724bp-1,276,916bp)的I型PKS生物合成基因簇失活的突變株；

所述的質粒載體I的構建方法是在質粒pJTU1278的SpeI/KpnI位點插入來自1,200,120bp-1,200,750bp區域左側1410的PCR片段SpeI/HindIII和來自1,200,120bp-1,200,750bp區域右側1352bp的PCR片段HindIII/KpnI；

所述的發酵是指將鏈霉菌孢子或者菌絲體在TSBY培養基中于33℃、220轉/分鐘的轉速下培養36～48小時后，轉接到種子培養基，于33℃、220轉/分鐘的轉速下培養16～20小時后，再轉接到發酵培養基發酵9天，所述TSBY培養基含有：TSB 3％，酵母提取物0.5％，蔗糖10.3％；所述種子培養基含有：葡萄糖4％，黃豆餅粉3％，酵母提取物1％，碳酸鈣0.2％；所述發酵培養基含有：胚芽粉0.8％，黃豆餅粉0.5％，氯化鉀0.22％，氯化鈉0.1％，尿素0.16％，酒石酸0.2％，硫酸鎂0.01％，磷酸氫二鉀0.01％，碳酸鈣0.5％，大豆油15％。

2.根據權利要求1所述提高鹽霉素發酵水平的方法，其特征在于：所述的轉接到種子培養基是將TSBY培養物按照3％的接種量轉接于種子培養基，所述的轉接到發酵培養基是將種子培養物按照10％的接種量轉接于發酵培養基。