[發(fā)明專利]一種清針片及其清針方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410592040.X | 申請日: | 2014-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN104332433B | 公開(公告)日: | 2018-04-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黃煒 | 申請(專利權)人: | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權代理有限公司11212 | 代理人: | 楊立 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 清針片 及其 方法 | ||
1.一種清針片,包括空白硅片和粘貼在所述空白硅片上的清針砂紙(5),其特征在于:所述清針砂紙(5)的不同區(qū)域上設有尺寸相同的至少兩個明暗對比圖案層,所述明暗對比圖案層正中均印有明暗對比圖案,其中一個明暗對比圖案層設置在所述清針砂紙的中心區(qū)域;所述明暗對比圖案用作自動針測機的相機的聚焦對象,以便所述自動針測機計算得到所述清針片的厚度值。
2.根據(jù)權利要求1所述的清針片,其特征在于:所述空白硅片為圓形空白硅片,所述清針砂紙(5)和所述空白硅片的尺寸相同。
3.根據(jù)權利要求1所述的清針片,其特征在于:任一明暗對比圖案層上的明暗對比圖案均為白底黑色圖案或者黑底白色圖案。
4.根據(jù)權利要求1所述的清針片,其特征在于:所述明暗對比圖案層的材質(zhì)均和所述清針砂紙的材質(zhì)相同。
5.根據(jù)權利要求1所述的清針片,其特征在于:所述明暗對比圖案層的厚度與所述清針砂紙的厚度差值均小于10um。
6.根據(jù)權利要求1所述的清針片,其特征在于:任一明暗對比圖案的尺寸范圍為30um*30um~100um*100um。
7.根據(jù)權利要求1~6任一所述的清針片,其特征在于:所述清針砂紙(5)的圓心處設有第一明暗對比圖案(6);所述清針砂紙(5)的其他區(qū)域至少還設有一個明暗對比圖案組,所述明暗對比圖案組包括至少一個第二明暗對比圖案(7),所述第二明暗對比圖案(7)設置在所述清針砂紙沿水平方向的直徑或/和沿垂直方向的直徑上;所述第一明暗對比圖案(6)和所述第二明暗對比圖案(7)的尺寸均相同;當所述明暗對比圖案組包括至少兩個第二明暗對比圖案(7)時,任意兩個第二明暗對比圖案(7)距離所述清針砂紙(5)圓心處的距離相等。
8.根據(jù)權利要求7所述的清針片,其特征在于:所述清針砂紙的圓心處設有第一明暗對比圖案(6);所述清針砂紙(5)上還設有一組第二明暗對比圖案,所述第二明暗對比圖案為四個,分別設置在清針砂紙沿水平方向的直徑和沿垂直方向的直徑上,且四個第二明暗對比圖案距離所述清針砂紙(5)圓心的距離相等;所述第一明暗對比圖案(6)和所述第二明暗對比圖案的尺寸均相同。
9.一種清針方法,所述清針方法利用權利要求1~8任一所述的清針片,包括以下步驟:
步驟1,在自動針測機中放置清針片;
步驟2,利用自動針測機的相機與所述清針砂紙上的所述明暗對比圖案分別進行對焦,通過焦距計算出焦點和相機的距離,從而得到清針片的厚度值,并自動在所述自動針測機中設定所述厚度值;
步驟3,清針時,自動針測機載入清針片,并根據(jù)所述步驟2設定的清針片的厚度值調(diào)整晶圓承載臺的高度,使清針片和探針卡針尖輕微接觸,完成對所述探針卡的清洗。
10.根據(jù)權利要求9所述的清針方法,其特征在于:所述步驟2具體為:
步驟201,將清針片的中心區(qū)域移動到自動針測機相機的正下方;
步驟202,在低倍鏡頭下,所述相機自動在中心區(qū)域內(nèi)搜索第一明暗對比圖案;
步驟203,所述自動針測機自動切換為高倍鏡頭,在高倍鏡頭下,所述相機自動對第一明暗對比圖案進行聚焦,當?shù)谝幻靼祵Ρ葓D案清晰度最高時,通過此時的焦距計算出第一明暗對比圖案與所述相機的垂直距離;
步驟204,通過移動晶圓承載臺,依次將清針片上的明暗對比圖案組的第二明暗對比圖案移動到所述自動針測機相機的正下方,重復步驟202和203,計算出各個第二明暗對比圖案與所述相機的垂直距離,并結(jié)合第一明暗對比圖案和所述相機的垂直距離,計算出清針片與所述相機的垂直距離的平均值S2;
步驟205,計算清針片的厚度值H,所述厚度值H的計算公式為:H=S1-S2,所述S1為晶圓承載臺與所述相機的垂直距離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





