[發明專利]光學指紋傳感器芯片光柵及其制作方法

有效

• 申請號: 201410589027.9
• 申請日: 2014-10-28
• 公開（公告）號: CN104297830A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發明（設計）人: 馮建中
• 申請（專利權）人: 北京思比科微電子技術股份有限公司
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18;G06K9/20
• 代理公司: 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260
• 代理人: 鄭立明;趙鎮勇

技術領域

本發明涉及一種光學指紋傳感器芯片，尤其涉及一種光學指紋傳感器芯片光柵及其制作方法。

背景技術

如圖1、圖2所示，光學指紋傳感器采用小孔成像的原理，需要在每個像素上做成光柵，從而滿足小孔成像的條件。

現有技術中，都是需制作單獨的光柵。結構復雜、精度低。

發明內容

本發明的目的是提供一種結構簡單、精度高的光學指紋傳感器芯片光柵及其制作方法。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的：

本發明的光學指紋傳感器芯片光柵，在光學指紋傳感器芯片感光單元的晶圓上直接生成光柵，感光單元對應開孔，電路部分被覆蓋。

本發明的上述的光學指紋傳感器芯片光柵的制作方法，包括步驟：

A、在光學指紋傳感器芯片感光單元加工完的晶圓上用CVD方法生成透明的二氧化硅膜；

B、用濺射方法生成不透明的金屬膜；

C、用光刻方法露出需要透光的區域；

D、經過干法刻蝕后將需要透光區域的金屬刻蝕掉，在芯片上做出光柵；

E、用CVD的方法在芯片的表面生成透明的保護膜。

由上述本發明提供的技術方案可以看出，本發明實施例提供的光學指紋傳感器芯片光柵及其制作方法，由于直接在光學指紋傳感器芯片感光單元的晶圓上直接生成光柵，感光單元對應開孔，電路部分被覆蓋，結構簡單、精度高，芯片可以直接使用。

附圖說明

圖1為光學指紋傳感器像素中光柵的結構示意圖；

圖2為小孔成像原理圖；

圖3-1為本發明實施例中感光單元加工完的晶圓示意圖；

圖3-2為本發明實施例中CVD方法生成透明的二氧化硅膜示意圖；

圖3-3為本發明實施例中SPUTTER濺射方法生成不透明的金屬膜示意圖；

圖3-4為本發明實施例中PR光刻方法露出將需要透光的區域示意圖；

圖3-5為本發明實施例中經過干法刻蝕后將透光的區域打開，在芯片上做出光柵示意圖；

圖3-6為本發明實施例中CVD的方法在芯片的表面生成透明的保護膜示意圖。

圖中：1、物體(手指)，2、光柵單元，3、芯片的感光單元。

具體實施方式

下面將對本發明實施例作進一步地詳細描述。

本發明的光學指紋傳感器芯片光柵，其較佳的具體實施方式是：

在光學指紋傳感器芯片感光單元的晶圓上直接生成光柵，感光單元對應開孔，電路部分被覆蓋。

所述光柵的不透光的成分為金屬，所述電路部分全部用金屬覆蓋。

本發明的上述的光學指紋傳感器芯片光柵的制作方法，其較佳的具體實施方式是：

包括步驟：

A、在光學指紋傳感器芯片感光單元加工完的晶圓上用CVD(化學氣相沉積)方法生成透明的二氧化硅膜；

B、用濺射方法生成不透明的金屬膜；

C、用光刻方法露出需要透光的區域；

D、經過干法刻蝕后將需要透光區域的金屬刻蝕掉，在芯片上做出光柵；

E、用CVD的方法在芯片的表面生成透明的保護膜。

所述步驟E包括：

首先，用SPIN?ON?GLASS(自旋玻璃)方法制作透明的二氧化硅；

然后，用PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)方法生成透明的氮氧化硅保護膜。

本發明為晶圓級光柵的生成方法，直接在晶圓(WAFER)上生成光柵，光柵的不透光的成分為金屬，采用濺射和光刻的方法；

圖像傳感器的感光單元對應開孔，電路部分全部用金屬覆蓋。

具體實施例：

如圖3－1至圖3－5所示，制作方法如下：

1.SIO₂-CVD--透明的二氧化硅膜；

2.濺射的方法做金屬；

3.光刻；

4.干刻的方法將感光區域對應的位置的金屬刻蝕掉；

5.1?SOG保護膜--SPIN?ON?GLASS方法透明的二氧化硅；

5.2?PECVD方法生成的SION，透明的氮氧化硅，保護膜防劃傷，芯片可以直接使用。

以上所述，僅為本發明較佳的具體實施方式，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明披露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應該以權利要求書的保護范圍為準。