[發明專利]一種支撐裝置以及等離子刻蝕設備

有效

• 申請號: 201410588119.5
• 申請日: 2014-10-28
• 公開（公告）號: CN105552014B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: 邢濤;彭宇霖
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張天舒

1.一種支撐裝置，所述支撐裝置包括靜電卡盤和環繞所述靜電卡盤設置的聚焦環，其特征在于，所述靜電卡盤形成為從下至上橫截面積依次減小的三級臺階狀，所述靜電卡盤的第二級臺階內設置有加熱件，所述聚焦環包括上環體和設置在所述上環體下方的下環體，所述上環體的內徑大于所述下環體上部的內徑，所述下環體的內壁形狀與所述靜電卡盤的第二級臺階的形狀相配合；

所述支撐裝置還包括基環和絕緣環，所述基環設置在所述絕緣環上方并且環繞在所述靜電卡盤的最下方的一級臺階的外側，所述聚焦環設置在所述基環上方，所述絕緣環設置在所述靜電卡盤下方。

2.根據權利要求1所述的支撐裝置，其特征在于，所述下環體的上表面不高于所述靜電卡盤的上表面。

3.根據權利要求1或2所述的支撐裝置，其特征在于，所述聚焦環形成為一體式結構。

4.根據權利要求1或2所述的支撐裝置，其特征在于，所述下環體包括上臺階部和位于所述上臺階部下方的下臺階部，所述上臺階部與所述下臺階部互相獨立，所述上臺階部的一部分支撐在所述靜電卡盤的第二級臺階的上表面上，所述下臺階部環繞所述靜電卡盤的第二級臺階的側面設置，且所述上臺階部與所述上環體形成為一體。

5.根據權利要求1或2所述的支撐裝置，其特征在于，所述下環體包括相互獨立的環形本體和凸出部，所述環形本體環繞所述靜電卡盤的第二級臺階的側壁設置，所述凸出部位于所述環形本體的內壁上且朝向所述聚焦環的中心軸線凸出，所述凸出部支撐在所述靜電卡盤的第二級臺階的頂面上，所述環形本體與所述上環體形成為一體。

6.根據權利要求5所述的支撐裝置，其特征在于，制成所述凸出部的材料與制成所述靜電卡盤最上方的一級臺階的材料相同。

7.根據權利要求1或2所述的支撐裝置，其特征在于，所述靜電卡盤的第二級臺階內從下至上依次設置有絕緣層、所述加熱件和隔離層。

8.根據權利要求1或2所述的支撐裝置，其特征在于，所述加熱件的直徑大于待處理的基片的直徑。

9.一種等離子刻蝕設備，該等離子刻蝕設備包括反應腔室和設置在所述反應腔室內的支撐裝置，其特征在于，所述支撐裝置為權利要求1至8中任意一項所述的支撐裝置。