[發明專利]一種八邊形網格狀MOSFET功率管版圖結構

在審

• 申請號: 201410585226.2
• 申請日: 2014-10-28
• 公開（公告）號: CN104409459A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發明（設計）人: 王志鵬
• 申請（專利權）人: 長沙景嘉微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/105
• 分類號: H01L27/105;H01L29/78
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種功率MOSFET版圖的結構，包括：

八邊形網格狀MOSFET功率管的版圖結構由基本單元的重復拼接來實現，基本單元由有源區、多晶硅條、源區接觸孔、漏區接觸孔、背柵接觸孔和金屬繞線組成。

2.根據權利要求1所述的基本單元組成，多晶硅條的特征在于：

多晶硅條是一個直邊較長，斜邊較短的八邊形結構，將四個這樣的八邊形多晶硅條對稱拼接且相鄰直邊重合，其中心形成一個面積較小的正方形區域。

3.根據權利要求1所述的基本單元組成，根據權利要求2所述的多晶硅條結構，有源區的特征在于：

有源區覆蓋每個八邊形內的區域、權利要求2所述的小正方形內的區域，以及八邊形多晶硅條的直邊，但不覆蓋八邊形多晶硅條的斜邊。

4.根據權利要求1所述的基本單元組成，根據權利要求2所述的多晶硅條結構，根據權利要求3所述的有源區構成方式，源區接觸孔、漏區接觸孔的特征在于：

源區接觸孔放在四個八邊形有源區中的兩個對角八邊形區域內，漏區接觸孔放在另外兩個對角區域內。

5.根據權利要求1所述的基本單元組成及MOSFET的版圖結構，根據權利要求2所述的多晶硅條結構，根據權利要求3所述的有源區構成方式，根據權利要求4所述的源區接觸孔、漏區接觸孔的排布方式，金屬繞線的特征在于：

金屬繞線是由金屬線如同“W”的形狀構成，金屬繞線連接所有的源區接觸孔作為MOSFET的源極，金屬繞線連接所有漏區接觸孔作為MOSFET的漏極。

6.根據權利要求1所述的基本單元組成及MOSFET的版圖結構，根據權利要求2所述的多晶硅條結構，根據權利要求3所述的有源區構成方式，根據權利要求4所述的源區接觸孔、漏區接觸孔的排布方式，根據權利要求5金屬繞線的連接方式，背柵接觸孔的特征在于：

在連接源區接觸孔的金屬繞線覆蓋的小正方形區域內，放置背柵接觸孔。

7.根據權利要求1所述的基本單元組成及MOSFET的版圖結構，根據權利要求2所述的多晶硅條結構，根據權利要求3所述的有源區構成方式，根據權利要求4所述的源區接觸孔、漏區接觸孔的排布方式，根據權利要求5金屬繞線的連接方式，根據權利要求6背柵接觸孔的排布方式，N+注入和P+注入的特征在于：

在典型的CMOS工藝中，若背柵接觸區域內為N+注入，那么背柵接觸將作為PMOS管的阱接觸，除背柵接觸區域以外的其它區域需進行P+注入；相反，若背柵接觸區域內為P+注入，那么背柵接觸將作為NMOS管的襯底接觸，除背柵接觸區域以外的其它區域進行N+注入。