[發(fā)明專利]一種大均勻區(qū)三維磁線圈及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410573456.7 | 申請日: | 2014-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN105527594B | 公開(公告)日: | 2018-08-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭辛;高溥澤;汪世林;秦杰;韓文法;楊磊;王宇虹;孫曉光 | 申請(專利權(quán))人: | 北京自動化控制設(shè)備研究所 |
| 主分類號: | G01R33/34 | 分類號: | G01R33/34;H01F5/00;H01F41/04 |
| 代理公司: | 核工業(yè)專利中心 11007 | 代理人: | 高尚梅 |
| 地址: | 100074 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 均勻 三維 線圈 及其 制造 方法 | ||
1.一種大均勻區(qū)三維磁線圈,包括支撐體(1)、縱線圈(2)和橫線圈(3);所述支撐體(1)為上、下底面開放中心對稱的筒狀,在支撐體(1)的表面沿其周向和軸向分別設(shè)置有線槽,用于安裝縱線圈(2)和橫線圈(3),所述線槽的數(shù)量依據(jù)縱線圈(2)和橫線圈(3)的數(shù)量確定;其特征在于:所述縱線圈(2)由繞支撐體(1)表面周向纏繞的導線構(gòu)成,相鄰的兩個縱線圈(2)之間平行且導線連通;所述橫線圈(3)由繞支撐體(1)表面軸向和上下底面邊緣纏繞的導線構(gòu)成,在空間內(nèi)形成空間多邊形,所述橫線圈(3)為兩對,每對橫線圈(3)對稱安裝于支撐體(1)之上,使兩對橫線圈(3)的磁場正交。
2.如權(quán)利要求1所述的一種大均勻區(qū)三維磁線圈,其特征在于:所述支撐體(1)為無上、下底的圓筒狀或方筒狀。
3.如權(quán)利要求1所述的一種大均勻區(qū)三維磁線圈,其特征在于:所述縱線圈(2)纏繞的匝數(shù)為一匝或多于一匝,所述縱線圈(2)的個數(shù)為三個、四個或更多個。
4.如權(quán)利要求1或2所述的一種大均勻區(qū)三維磁線圈,其特征在于:所述縱線圈(2)在空間中形成的多邊形為繞圓筒狀的支撐體(1)的軸向和底面圓弧纏繞所形成的空間四邊形。
5.如權(quán)利要求2所述的一種大均勻區(qū)三維磁線圈,其特征在于:所述縱線圈(2)在空間中形成的多邊形為繞方筒狀的支撐體(1)的柱面和底面邊緣纏繞所形成的空間四邊形、六邊形或八邊形。
6.一種大均勻區(qū)三維磁線圈的制造方法,設(shè)縱線圈的磁場方向為z軸正方向,兩組橫線圈磁場方向分別為x軸和y軸正方向,構(gòu)成三維直角坐標系;設(shè)縱線圈的參數(shù)為h1,h2,…,hN,所述縱線圈的參數(shù)為線圈半徑、兩線圈間距離、匝數(shù)比、導線截面積、導線線徑以及其它參數(shù);設(shè)橫線圈的參數(shù)為t1,t2,…,tV,所述橫線圈的參數(shù)為線圈半徑、總長度、張角弧度以及其它參數(shù);線圈中心坐標為O(0,0,0),均勻區(qū)(4)為以線圈中心為球心,半徑為a的球體,所述半徑a根據(jù)使用需求確定,其特征在于:該設(shè)計方法包括以下步驟:
步驟一、計算磁場分量
設(shè)通電線圈內(nèi)任意一點A處的坐標為(x,y,z),則根據(jù)畢奧-薩伐爾定率,該點A處磁場強度B的在X、Y和Z三個方向上的分量表達式分別為Bx(x,y,z,t1,t2,…,tV)、By(x,y,z,t1,t2,…,tV)和Bz(x,y,z,h1,h2,…,hN);
步驟二、有效均勻性計算
定義中心坐標為O(0,0,0),半徑為a的球形均勻區(qū)(4)的有效均勻性UNeff的表達為
其中B(X),B(Y),B(Z),和B(O),分別為X(a,0,0),Y(0,a,0),Z(0,0,a)和O(0,0,0)點處的橫、縱線圈磁場在x方向或y方向或z方向的分量;
由上式,磁場方向與x軸正向同向的橫線圈所形成的均勻區(qū)的有效均勻性為
其中,Bx(X),Bx(Y),Bx(Z)和Bx(O)分別為點X(a,0,0),Y(0,a,0),Z(0,0,a)和O(0,0,0)處磁場方向與x軸正向同向的橫線圈所形成磁場強度在x方向上的分量;
磁場方向與y軸正方向同向的橫線圈所形成的均勻區(qū)的有效均勻性為
其中,By(X),By(Y),By(Z)和By(O)分別為點X(a,0,0),Y(0,a,0),Z(0,0,a)和O(0,0,0)處磁場方向與y軸正向同向的橫線圈所形成磁場強度在y方向上的分量;
磁場方向與z軸正方向同向的縱線圈所形成的均勻區(qū)的有效均勻性為
其中,Bz(X),Bz(Y),Bz(Z)和By(O)分別為點X(a,0,0),Y(0,a,0),Z(0,0,a)和O(0,0,0)處磁場方向與z軸正向同向的縱線圈所形成磁場強度在z方向上的分量;
步驟三、優(yōu)化求解
分別選取橫、縱線圈參數(shù)中的一個或多于一個參數(shù)進行賦值作為固定參數(shù),采用迭代優(yōu)化算法,在可調(diào)參數(shù)空間合理范圍找出有效均勻性和各自的極小值,和對應的可調(diào)參數(shù)取值;
步驟四、誤差考量
在可實現(xiàn)的線圈參數(shù)誤差范圍內(nèi),優(yōu)選的誤差范圍為±0.1mm,考察參數(shù)誤差對有效均勻性UNeff的影響,選取考慮誤差后和各自多個極小值中最小的一個所對應的線圈參數(shù)作為最終確定的線圈參數(shù)用以制作線圈。
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