[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410568709.1 | 申請日: | 2014-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN105529323B | 公開(公告)日: | 2018-06-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 賴二琨 | 申請(專利權(quán))人: | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01L21/50 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 任巖 |
| 地址: | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)電段 疊層結(jié)構(gòu) 垂直 絕緣段 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 導(dǎo)電條 延伸 垂直疊層 導(dǎo)電結(jié)構(gòu) 方向平行 疊層段 絕緣條 基板 電性連接 方向垂直 制造 | ||
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一基板、一條狀疊層結(jié)構(gòu)以及至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)?;寰哂幸话疾?,條狀疊層結(jié)構(gòu)形成于凹槽內(nèi)。條狀疊層結(jié)構(gòu)包括多個導(dǎo)電條及多個絕緣條。各導(dǎo)電條具有一水平導(dǎo)電段及二垂直導(dǎo)電段連接于對應(yīng)的水平導(dǎo)電段,水平導(dǎo)電段的延伸方向平行于凹槽的一底部,垂直導(dǎo)電段的延伸方向垂直于凹槽的底部。各絕緣條具有一水平絕緣段及二垂直絕緣段連接于對應(yīng)的水平絕緣段,垂直絕緣段的延伸方向平行于垂直導(dǎo)電段的延伸方向。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接于這些導(dǎo)電條的至少其中之一。條狀疊層結(jié)構(gòu)具有一水平疊層段對應(yīng)水平導(dǎo)電段,條狀疊層結(jié)構(gòu)具有二垂直疊層段對應(yīng)垂直導(dǎo)電段,垂直疊層段的一寬度大于水平疊層段的一厚度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法,且特別是有關(guān)于一種具有放大的電性接觸重疊區(qū)域(electrical contact overlay window)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)
近年來半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)不斷地改變,且元件的存儲器儲存容量也不斷增加。存儲裝置是使用于許多產(chǎn)品之中,例如MP3播放器、數(shù)字相機(jī)、計算機(jī)檔案等等的儲存元件中。隨著應(yīng)用的增加,對于存儲裝置的需求也趨向較小的尺寸、較大的存儲容量。因應(yīng)這種需求,是需要制造高元件密度及具有小尺寸的存儲裝置。如此一來,裝置中的電性接觸元件之間的距離也縮小,造成短路情況的增加、并且降低裝置的穩(wěn)定性。
因此,設(shè)計者們無不致力于開發(fā)一種三維存儲裝置,不但具有許多疊層平面而達(dá)到更高的記憶儲存容量,具有更微小的尺寸,同時具備良好的穩(wěn)定性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。實施例中,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中,由于條狀疊層結(jié)構(gòu)的垂直疊層段的寬度大于水平疊層段的厚度,使得垂直疊層段具有放大的尺寸,因此增大了垂直導(dǎo)電段的節(jié)距(pitch),因此可以有效放大條狀疊層結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的電性接觸重疊區(qū)域、并且降低短路的發(fā)生。
根據(jù)本發(fā)明的一實施例,是提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一基板、一條狀疊層結(jié)構(gòu)以及至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)?;寰哂幸话疾?,條狀疊層結(jié)構(gòu)形成于凹槽內(nèi)。條狀疊層結(jié)構(gòu)包括多個導(dǎo)電條及多個絕緣條。導(dǎo)電條與絕緣條是交錯設(shè)置(interlaced)。各導(dǎo)電條具有一水平導(dǎo)電段及二垂直導(dǎo)電段連接于對應(yīng)的水平導(dǎo)電段,水平導(dǎo)電段的延伸方向平行于凹槽的一底部,垂直導(dǎo)電段的延伸方向垂直于凹槽的底部。各絕緣條具有一水平絕緣段及二垂直絕緣段連接于對應(yīng)的水平絕緣段,垂直絕緣段的延伸方向平行于垂直導(dǎo)電段的延伸方向。導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接于這些導(dǎo)電條的至少其中之一。條狀疊層結(jié)構(gòu)具有一水平疊層段對應(yīng)水平導(dǎo)電段,條狀疊層結(jié)構(gòu)具有二垂直疊層段對應(yīng)垂直導(dǎo)電段,垂直疊層段的一寬度大于水平疊層段的一厚度。
根據(jù)本發(fā)明的另一實施例,是提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下步驟。提供一基板,包括形成一凹槽于基板內(nèi)。形成一條狀疊層結(jié)構(gòu)于凹槽內(nèi),包括:形成多個導(dǎo)電條,各導(dǎo)電條具有一水平導(dǎo)電段及二垂直導(dǎo)電段連接于對應(yīng)的水平導(dǎo)電段,水平導(dǎo)電段的延伸方向平行于凹槽的一底部,垂直導(dǎo)電段的延伸方向垂直于凹槽的底部;及形成多個絕緣條,導(dǎo)電條與絕緣條是交錯設(shè)置(interlaced),各絕緣條具有一水平絕緣段及二垂直絕緣段連接于對應(yīng)的水平絕緣段,垂直絕緣段的延伸方向平行于垂直導(dǎo)電段的延伸方向。形成至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu),其中至少一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電性連接于這些導(dǎo)電條的至少其中之一;其中條狀疊層結(jié)構(gòu)具有一水平疊層段對應(yīng)水平導(dǎo)電段,條狀疊層結(jié)構(gòu)具有二垂直疊層段對應(yīng)垂直導(dǎo)電段,垂直疊層段的一寬度大于水平疊層段的一厚度。
為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解,下文特舉較佳實施例,并配合所附圖式,作詳細(xì)說明如下:
附圖說明
圖1繪示本發(fā)明的一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖2繪示本發(fā)明的另一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
圖3繪示本發(fā)明的又一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





