[發明專利]激光熱處理設備有效
| 申請號: | 201410563445.0 | 申請日: | 2014-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN104576449B | 公開(公告)日: | 2019-04-09 |
| 發明(設計)人: | 梁相熙;沈亨基;金鍾明 | 申請(專利權)人: | AP系統股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 張洋 |
| 地址: | 韓國京畿道華城市*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 熱處理 設備 | ||
1.一種激光熱處理設備,其包括:
具有內部空間且容納襯底的腔室;
安裝于所述腔室之外且使激光振蕩的振蕩器;
安置于所述腔室的上側之外的掩模;
經配置以支撐所述掩模的掩模支撐模塊;
安置于所述掩模支撐模塊之下以聚焦穿過所述掩模的所述激光的圖像形成系統;
光束切割器,其安裝于所述掩模支撐模塊與所述圖像形成系統之間以對應于其中從所述圖像形成系統反射或散射的激光束被反射或散射到所述掩模支撐模塊的區,從而防止從所述圖像形成系統反射及散射的所述激光束入射到所述掩模支撐模塊;以及
熱屏蔽部件,安裝于所述掩模支撐模塊與所述光束切割器之間,以防止熱從所述光束切割器轉移到所述掩模支撐模塊。
2.根據權利要求1所述的激光熱處理設備,其中所述掩模支撐模塊包括:
安置于所述圖像形成系統上方的基部;
在所述基部上方在X軸方向上延伸的第一滑軌;
安裝于所述第一滑軌上以沿著所述第一滑軌滑動的第一平臺;
在所述第一平臺上方在Y軸方向上延伸的第二滑軌;
安裝于所述第二滑軌上以沿著所述第二滑軌滑動的第二平臺;
可旋轉地安裝于所述第二平臺上的第三平臺;以及
安裝于所述第三平臺上以支撐所述掩模的掩模支架,
其中所述基部、所述第一平臺、所述第二平臺、所述第三平臺及所述掩模支架是由不脹鋼形成。
3.根據權利要求2所述的激光熱處理設備,其中所述光束切割器安裝于所述基部及所述第一平臺、所述第二平臺、所述第三平臺中的每一者的下部部分上,且
所述光束切割器對應于其中從所述圖像形成系統反射或散射的所述激光束被反射或散射到所述掩模支撐模塊的區。
4.根據權利要求3所述的激光熱處理設備,其中所述熱屏蔽部件安裝于所述基部及所述第一平臺、所述第二平臺、所述第三平臺中的每一者的下部部分上,
其中所述光束切割器的至少一部分連接到所述熱屏蔽部件的下部部分,且因此與所述基部及所述第一平臺、所述第二平臺、所述第三平臺中的每一者的下部部分間隔開。
5.根據權利要求1或4所述的激光熱處理設備,其中所述熱屏蔽部件包括陶瓷。
6.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的激光熱處理設備,其中所述光束切割器具有安置于至少一個指向所述圖像形成系統的表面上的多個突起部的形狀。
7.根據權利要求1到4中任一權利要求所述的激光熱處理設備,其中所述光束切割器由鋁形成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于AP系統股份有限公司,未經AP系統股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410563445.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





