[發明專利]記憶體結構及形成記憶體結構的方法

有效

• 申請號: 201410549666.2
• 申請日: 2014-10-16
• 公開（公告）號: CN105575991B
• 公開（公告）日: 2019-04-12
• 發明（設計）人: 劉柏村;范揚順;陳鈞罄
• 申請（專利權）人: 財團法人交大思源基金會
• 主分類號: H01L27/24
• 分類號: H01L27/24;H01L45/00;H01L29/786
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種記憶體結構，其特征在于，包含一控制單元以及一記憶單元，該記憶單元電性連接該控制單元，其中：

該控制單元包含：

一源極與一漏極；

一主動層，接觸該源極的一部分及該漏極的一部分；

一半導體層，位于該主動層上；

一柵極層；以及

一柵極絕緣層，位于該主動層與該柵極層之間；

該記憶單元包含：

一底電極層；

一頂電極層；

一電阻切換層，該電阻切換層位于該底電極層以及該頂電極層之間；以及一氧化鉿層，位于該電阻切換層以及該底電極層之間，

其中該電阻切換層與該主動層的材質為氧化鋁鋅錫，且該半導體層的材質為五環素或聚3-己基噻吩。

2.根據權利要求1所述的記憶體結構，其特征在于，該柵極層的材質為硅，該柵極絕緣層的材質為二氧化硅。

3.根據權利要求1所述的記憶體結構，其特征在于，該源極以及該漏極的材質為鈦。

4.根據權利要求1所述的記憶體結構，其特征在于，該頂電極層的材質為鈦、氮化鈦或氧化銦錫，該底電極層的材質為金或鉑。

5.根據權利要求1所述的記憶體結構，其特征在于，該記憶單元是位于該源極或該漏極上。

6.一種形成記憶體結構的方法，其特征在于，包含：

形成一控制單元，包含：提供一柵極層；濕氧退火該柵極層以形成一柵極絕緣層于該柵極層上；濺鍍一主動層于該柵極絕緣層上；形成一半導體層于該主動層上；以及蒸鍍一源極以及一漏極于該主動層的兩側；以及

形成一記憶單元于該控制單元上，包含：蒸鍍一底電極層于該漏極上；濺鍍一電阻切換層于該底電極層上，形成一氧化鉿層于該電阻切換層以及該底電極層之間，其中該電阻切換層與該主動層的材質為氧化鋁鋅錫，且該半導體層的材質為五環素或聚3-己基噻吩；以及蒸鍍一頂電極層于該電阻切換層上。

7.根據權利要求6所述的形成記憶體結構的方法，其特征在于，形成該控制單元的溫度范圍為400℃至450℃。

8.根據權利要求6所述的形成記憶體結構的方法，其特征在于，形成該記憶單元的溫度范圍為15℃至35℃。