[發(fā)明專利]為離子植入建立中電流帶狀離子束的方法及其離子束系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410541752.9 | 申請(qǐng)日： | 2014-10-14 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN104835709A | 公開（公告）日： | 2015-08-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 羅伯特·凱姆;查爾斯·M·弗里;大衛(wèi)·豪格倫德;威廉·P·普拉托夫;庫(kù)羅什·薩阿達(dá)特曼德 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 漢辰科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01J37/317 | 分類號(hào)： | H01J37/317 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 徐偉 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)灣新竹縣寶山鄉(xiāng)*** | 國(guó)省代碼： | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 離子 植入 建立 電流 帶狀 離子束 方法 及其 系統(tǒng) | ||
1.一種為離子植入建立中電流帶狀離子束的方法，其特征在于，包含：
提供包含有工作氣體及運(yùn)載氣體的離子源；及
調(diào)整該離子源中該工作氣體及該運(yùn)載氣體的比例，以控制該離子源中工作離子束的源等離子體密度。
2.如權(quán)利要求1所述的為離子植入建立中電流帶狀離子束的方法，其特征在于，透過(guò)降低該工作氣體相對(duì)于該運(yùn)載氣體的流速比例，以調(diào)整該離子源中該工作氣體及該運(yùn)載氣體的比例。
3.如權(quán)利要求2所述的為離子植入建立中電流帶狀離子束的方法，其特征在于，該運(yùn)載氣體的流速為4sccm，該工作氣體的流速介于0.04sccm至0.1sccm之間。
4.如權(quán)利要求1所述的為離子植入建立中電流帶狀離子束的方法，其特征在于，更包含：調(diào)整該源等離子體密度，以與提取電壓及提取間隙相配稱。
5.如權(quán)利要求4所述的為離子植入建立中電流帶狀離子束的方法，其特征在于，透過(guò)降低該工作氣體相對(duì)于該運(yùn)載氣體的流速比例，以調(diào)整該離子源中該工作氣體及該運(yùn)載氣體的比例。
6.如權(quán)利要求5所述的為離子植入建立中電流帶狀離子束的方法，其特征在于，該運(yùn)載氣體的流速為4sccm，該工作氣體的流速介于0.04sccm至0.1sccm之間。
7.一種為離子植入建立中電流帶狀離子束的方法，其特征在于，包含：操作設(shè)置于離子源下游的至少一電流限制裝置，以控制該離子源中工作離子束的源等離子體密度。
8.如權(quán)利要求7所述的為離子植入建立中電流帶狀離子束的方法，其特征在于，該電流限制裝置使用大小可變化的狹縫或孔洞，以機(jī)械方式限制該工作離子束的通過(guò)量。
9.如權(quán)利要求7所述的為離子植入建立中電流帶狀離子束的方法，其特征在于，更包含：設(shè)定質(zhì)量分析儀，使其篩選出該工作離子束的工作離子。
10.如權(quán)利要求9所述的為離子植入建立中電流帶狀離子束的方法，其特征在于，更包含：設(shè)定至少一均勻度控制裝置，使標(biāo)靶得到均勻帶狀離子束，其中該均勻度控制裝置安裝于離子束路徑上，且位于該質(zhì)量分析儀及該標(biāo)靶之間。
11.一種為離子植入建立中電流帶狀離子束的方法，其特征在于，包含：
提供包含有工作氣體及運(yùn)載氣體的離子源；
調(diào)整該離子源中該工作氣體及該運(yùn)載氣體的比例；及
操作設(shè)置于該離子源下游的至少一電流限制裝置，以控制該離子源中工作離子束的源等離子體密度。
12.如權(quán)利要求11所述的為離子植入建立中電流帶狀離子束的方法，其特征在于，更包含：調(diào)整該源等離子體密度，以與提取電壓及提取間隙相配稱。
13.如權(quán)利要求11所述的為離子植入建立中電流帶狀離子束的方法，其特征在于，更包含：設(shè)定質(zhì)量分析儀，使其篩選出該工作離子束的工作離子。
14.如權(quán)利要求13所述的為離子植入建立中電流帶狀離子束的方法，其特征在于，更包含：設(shè)定至少一均勻度控制裝置，使標(biāo)靶得到均勻帶狀離子束，其中該均勻度控制裝置安裝于離子束路徑上，且位于該質(zhì)量分析儀及該標(biāo)靶之間。
15.一種離子束系統(tǒng)，其特征在于，包含：
離子源，被注入工作氣體及運(yùn)載氣體，其中該工作氣體及該運(yùn)載氣體的比例被調(diào)整，以控制該離子源中工作離子束的源等離子體密度，以與提取電壓及提取間隙相配稱；
質(zhì)量分析儀，用于篩選出該工作離子束的工作離子；
至少一電流限制裝置，設(shè)置于該離子源下游，以降低該工作離子束的電流；及
至少一均勻度控制裝置，安裝于離子束路徑上，且位于該質(zhì)量分析儀及標(biāo)靶之間，使該標(biāo)靶得到均勻帶狀離子束。
16.如權(quán)利要求15所述的離子束系統(tǒng)，其特征在于，更包含：加速/減速臺(tái)，設(shè)置于該質(zhì)量分析儀及該標(biāo)靶之間。
17.如權(quán)利要求16所述的離子束系統(tǒng)，其特征在于，包含有兩部該均勻度控制裝置，其中一該均勻度控制裝置安裝于該加速/減速臺(tái)之前，另一該均勻度控制裝置安裝于該加速/減速臺(tái)之后。
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