[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410538075.5 | 申請日： | 2014-10-13 |
| 公開（公告）號： | CN105489635B | 公開（公告）日： | 2018-09-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張海洋 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 高偉;馮永貞 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體器件 及其 制備 方法 電子 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：
步驟S1：提供基底，在所述基底上形成有通過定向自組裝方法制備的若干線形圖案；
步驟S2：在所述基底上形成金屬氧化物光刻膠層，以覆蓋所述線形圖案并填充所述線形圖案之間的空隙；
步驟S3：回蝕刻所述金屬氧化物光刻膠層，以露出所述線形圖案的頂部；
步驟S4：去除所述線形圖案，以在所述金屬氧化物光刻膠層中形成線性間隔；其中，所述金屬氧化物光刻膠層的化學(xué)式為式(1)：
其中，所述M為金屬，用于提升所述金屬氧化物對極紫外光的吸收率；
所述L*為光敏配合基；
所述R為羥基或者羰基。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述M包括Hf和Sn。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S2中，通過旋轉(zhuǎn)涂覆的方法形成所述金屬氧化物光刻膠層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，選用HBr和O2去除所述線形圖案。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，選用制圖外延法或者表面化學(xué)圖案法形成所述線形圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，形成所述線形圖案的方法包括：
步驟S11：在所述基底中依次形成抗反射層/聚苯乙烯刷層、光刻膠層和掩膜層；
步驟S12：以所述掩膜層為掩膜對光刻膠進(jìn)行曝光，以露出所述抗反射層/聚苯乙烯刷層；
步驟S13：在露出的所述抗反射層/聚苯乙烯刷層上方涂布包括嵌段共聚物的聚合物薄膜；
步驟S14：將聚合物薄膜中的嵌段共聚物進(jìn)行定向自組裝，形成不同組分組成的第一域和第二域；
步驟S15：選擇性地去除所述第二域，形成由所述第一域構(gòu)成的所述線形圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述嵌段共聚物為聚苯乙烯-b-甲基丙稀酸甲酯。
8.一種基于權(quán)利要求1至7之一所述的方法制備得到的半導(dǎo)體器件。
9.一種電子裝置，包括權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
