[發明專利]準分子激光退火裝置及低溫多晶硅薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201410533019.2
• 申請日: 2014-10-10
• 公開（公告）號: CN104392913B
• 公開（公告）日: 2017-12-22
• 發明（設計）人: 田雪雁
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 柴亮,張天舒

1.一種準分子激光退火裝置，包括：激光產生單元和工藝腔室，在所述工藝腔室中設有工作臺，其特征在于，在所述工作臺上設有加熱單元；

所述加熱單元包括陶瓷加熱基板；

所述陶瓷加熱基板包括：氧化鋁陶瓷基板；布置于所述氧化鋁陶瓷基板中的鎢電阻；用于將所述鎢電阻與電源連接進行供電的鎳絲引線。

2.根據權利要求1所述的準分子激光退火裝置，其特征在于，所述陶瓷加熱基板包括高溫共燒多層陶瓷基板或低溫共燒多層陶瓷基板。

3.一種低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

采用沉積的方法在襯底形成非晶硅薄膜；

對所述非晶硅薄膜進行加熱；

采用準分子激光退火裝置的加熱單元將所述襯底加熱至預定溫度并保溫；所述預定溫度為500-600℃；

利用準分子激光退火裝置對所述非晶硅薄膜進行退火。

4.根據權利要求3所述低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述對所述非晶硅薄膜進行加熱的步驟包括在400-500℃下，加熱0.5-3h。

5.根據權利要求3所述低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述的退火包括：激光束照射并掃描該非晶硅薄膜，將所述非晶硅薄膜熔化，并使非晶硅薄膜重新結晶形成多晶硅晶粒。

6.根據權利要求3所述低溫多晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，所述退火條件為：采用氯化氙激光器，波長為308nm，激光脈沖頻率為500Hz，重疊率為92-98％，激光掃描速率為4-16mm/s,激光能量密度為300-500mJ/cm²。