[發明專利]形成連接至多個穿透硅通孔(TSV)的圖案化金屬焊盤的機制

有效

• 申請號: 201410529680.6
• 申請日: 2014-10-09
• 公開（公告）號: CN104576585B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 劉醇鴻;黃詩雯;呂宗育;胡憲斌;侯上勇;鄭心圃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種插入件結構，包括：

兩個或多個穿透硅通孔(TSV)；

圖案化金屬焊盤，其中，所述兩個或多個穿透硅通孔物理連接至所述圖案化金屬焊盤，其中，所述圖案化金屬焊盤具有位于所述圖案化金屬焊盤中的嵌入式介電結構，其中，所述嵌入式介電結構不在所述兩個或多個穿透硅通孔的上方；以及

導電結構，物理連接至所述兩個或多個穿透硅通孔的與所述圖案化金屬焊盤相對的端；

其中，所述圖案化金屬焊盤的所述嵌入式介電結構具有位于所述圖案化金屬焊盤的中心的第一介電結構，其中，所述第一介電結構的寬度與所述圖案化金屬焊盤的寬度的比率在1/4和1/2的范圍內。

2.根據權利要求1所述的插入件結構，其中，所述圖案化金屬焊盤包括多個沒有所述嵌入式介電結構的區域，其中，所述多個沒有所述嵌入式介電結構的區域位于各個所述穿透硅通孔上方。

3.根據權利要求2所述的插入件結構，其中，所述多個沒有所述嵌入式介電結構的區域位于所述圖案化金屬焊盤的各個角處。

4.根據權利要求2所述的插入件結構，其中，所述圖案化金屬焊盤被成形為正方形，且所述多個沒有所述嵌入式介電結構的區域包括位于所述圖案化金屬焊盤的各個角處的四個區域。

5.根據權利要求2所述的插入件結構，其中，所述嵌入式介電結構包括位于所述多個沒有所述嵌入式介電結構的區域的兩個相鄰區域之間的第二介電結構。

6.根據權利要求2所述的插入件結構，其中，所述嵌入式介電結構包括位于所述多個沒有所述嵌入式介電結構的區域的兩個相鄰區域之間的多于1個的介電結構。

7.根據權利要求1所述的插入件結構，其中，所述圖案化金屬焊盤的寬度對所述導電結構的寬度的比率在1/3和1/2的范圍內。

8.根據權利要求1所述的插入件結構，其中，所述導電結構式凸塊下金屬(UBM)結構。

9.一種封裝件結構，包括：

半導體管芯；

插入件結構，連接至所述半導體管芯，所述插入件結構還包括：

兩個或多個穿透硅通孔(TSV)；

圖案化金屬焊盤，其中，所述兩個或多個穿透硅通孔物理連接至所述圖案化金屬焊盤，其中，所述圖案化金屬焊盤具有位于所述圖案化金屬焊盤中的嵌入式介電結構，其中，所述嵌入式介電結構沒有超過所述兩個或多個穿透硅通孔，以及

導電結構，物理連接至所述兩個或多個穿透硅通孔的與所述圖案化金屬焊盤相對的端；以及

襯底，連接至所述插入件；

其中，所述圖案化金屬焊盤的所述嵌入式介電結構包括位于所述圖案化金屬焊盤的中心的第一介電結構，其中，所述第一介電結構的寬度與所述圖案化金屬焊盤的寬度的比率在1/4和1/2的范圍內。

10.根據權利要求9所述的封裝件結構，其中，所述圖案化金屬焊盤包括多個沒有所述嵌入式介電結構的區域，其中，所述多個沒有所述嵌入式介電結構的區域位于各個所述穿透硅通孔上方。

11.根據權利要求10所述的封裝件結構，其中，所述多個沒有所述嵌入式介電結構的區域位于所述圖案化金屬焊盤的各個角處。

12.根據權利要求10所述的封裝件結構，其中，所述圖案化金屬焊盤的所述嵌入式介電結構還包括位于所述多個沒有所述嵌入式介電結構的區域的兩個相鄰區域之間的多于1個的介電結構。