[發明專利]MEMS器件的形成方法有效
| 申請號： | 201410521986.7 | 申請日： | 2014-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN105439081B | 公開（公告）日： | 2017-06-13 |
| 發明（設計）人： | 阮炯明;張冬平 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 高靜,駱蘇華 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mems 器件 形成 方法 | ||
1.一種MEMS器件的形成方法，其特征在于，
提供半導體基底；
在所述半導體基底上形成第一犧牲層：
在所述第一犧牲層上形成阻擋層；
在所述阻擋層上形成懸臂梁層；
以所述阻擋層為停止層，在所述懸臂梁層中形成凹槽；
在所述懸臂梁層上形成第二犧牲層，所述第二犧牲層覆蓋所述懸臂梁層，以及所述凹槽的側壁和底部；
在所述第二犧牲層上形成掩模層，所述掩模層露出所述凹槽；
以所述掩模層為掩模，去除所述凹槽底部的第二犧牲層；
再以所述掩模層為掩模，去除所述凹槽底部的阻擋層和第一犧牲層，露出所述半導體基底。
2.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二犧牲層的厚度在100nm～300nm的范圍內。
3.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層和第二犧牲層的材料相同。
4.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一犧牲層和第二犧牲層的材料為鍺，所述懸臂梁層的材料為鍺硅材料。
5.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為氧化硅。
6.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的厚度為20～100納米。
7.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述掩模層為光刻膠層。
8.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述懸臂梁層中形成凹槽的步驟包括：在所述懸臂梁層中形成多個所述凹槽；
在所述第二犧牲層上形成掩模層的步驟包括：所述掩模層還覆蓋凹槽部分側壁上的所述第二犧牲層；
以所述掩模層為掩模，去除所述凹槽底部的阻擋層和第一犧牲層，露出所述半導體基底的步驟還包括：去除位于凹槽側壁上的未覆蓋掩模層的第二犧牲層。
9.如權利要求1或8所述的形成方法，其特征在于，以所述掩模層為掩模，去除所述凹槽底部的第二犧牲層的步驟包括：采用各向同性刻蝕工藝去除所述凹槽底部的第二犧牲層。
10.如權利要求1所述的形成方法，其特征在于，以所述掩模層為掩模，去除所述凹槽底部的阻擋層和第一犧牲層，露出所述半導體基底的步驟包括：采用各向異性刻蝕工藝去除所述凹槽底部的阻擋層和第一犧牲層。
11.如權利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述各向異性刻蝕工藝為干法刻蝕工藝。
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