[發(fā)明專利]一種MOS靜電保護結(jié)構(gòu)及保護方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410520449.0
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN104282667B
• 公開（公告）日: 2017-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何明江;陳愛軍;馬先東
• 申請（專利權(quán)）人: 中航（重慶）微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60;H01L29/06
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所31219
• 代理人: 李儀萍

1.一種MOS靜電保護結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述MOS靜電保護結(jié)構(gòu)至少包括在漏極區(qū)中制作的淺溝道隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝道隔離結(jié)構(gòu)包括溝槽和填充于所述溝槽內(nèi)的介質(zhì)層；

所述MOS靜電保護結(jié)構(gòu)還包括：

第一導(dǎo)電類型襯底；結(jié)合于所述第一導(dǎo)電類型襯底表面的柵極結(jié)構(gòu)，所述柵極結(jié)構(gòu)包括柵介質(zhì)層和形成于所述柵介質(zhì)層表面的柵極；

所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底中分別形成有第二導(dǎo)電類型的源極區(qū)和漏極區(qū)，由所述源極區(qū)和漏極區(qū)分別引出源電極和漏電極；

所述漏極區(qū)包括第二導(dǎo)電類型輕摻雜漏極區(qū)和形成于所述第二導(dǎo)電類型輕摻雜漏極區(qū)中一端的第二導(dǎo)電類型重摻雜漏極區(qū)，所述淺溝道隔離結(jié)構(gòu)形成于柵極結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)電類型重摻雜漏極區(qū)之間的第二導(dǎo)電類型輕摻雜漏極區(qū)中，所述淺溝道隔離結(jié)構(gòu)與所述柵極結(jié)構(gòu)為非接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS靜電保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述溝槽為倒梯形或長方形溝槽，所述介質(zhì)層為二氧化硅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS靜電保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述淺溝道隔離結(jié)構(gòu)的深度小于漏極區(qū)的深度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOS靜電保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述淺溝道隔離結(jié)構(gòu)的深度范圍為0.3～0.8μm，所述漏極區(qū)的深度范圍為0.4～3μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS靜電保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述襯底為第一導(dǎo)電類型輕摻雜，所述源極區(qū)為第二導(dǎo)電類型的重摻雜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS靜電保護結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一導(dǎo)電類型為P型，第二導(dǎo)電類型為N型，或者第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型。

7.一種利用如權(quán)利要求1～6任一項所述的MOS靜電保護結(jié)構(gòu)進行靜電保護的方法，其特征在于，通過漏極區(qū)中的淺溝道隔離結(jié)構(gòu)，使漏極區(qū)電阻長度增加，從而增大漏極區(qū)電阻值，提高靜電保護能力。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MOS靜電保護的方法，其特征在于：所述靜電保護結(jié)構(gòu)為NMOS，所述柵極、源電極、襯底均接地，所述漏電極為靜電信號輸入端。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MOS靜電保護的方法，其特征在于：所述靜電保護結(jié)構(gòu)為PMOS，所述柵極、源電極、襯底均接高電平，所述漏電極為靜電信號輸入端。