[發明專利]一種全光纖結構的電場敏感元件及電場傳感裝置

在審

• 申請號: 201410519621.0
• 申請日: 2014-09-30
• 公開（公告）號: CN104280900A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: 周鋒;金曉峰;章獻民;池灝;鄭史烈
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: G02F1/03
• 分類號: G02F1/03;G02B6/42;G02B6/14
• 代理公司: 杭州天勤知識產權代理有限公司 33224
• 代理人: 胡紅娟

1.一種全光纖結構的電場敏感元件，其特征在于，包括光纖和相位調制部件，所述光纖的一端作為電場敏感元件的輸入端，另一端作為輸出端；?

所述的相位調制部件用于使光纖中的部分信號光在電場作用下改變相位。?

2.如權利要求1所述的全光纖結構的電場敏感元件，其特征在于，所述的相位調制部件為包覆于光纖包層外的石墨烯薄膜。?

3.如權利要求1所述的全光纖結構的電場敏感元件，其特征在于，所述的光纖纖芯外周沿信號光傳輸方向設有間隔布置的兩個模式轉換器，兩個模式轉換器用于使光纖中的部分信號光由纖芯進入包層，再與相位調制部件相作用后返回纖芯；?

兩個模式轉換器之間的光纖包層的至少一部分外周包裹有所述的石墨烯薄膜。?

4.如權利要求2或3所述的全光纖結構的電場敏感元件，其特征在于，所述石墨烯薄膜的厚度為0.335nm～1.005nm。?

5.如權利要求3所述的全光纖結構的電場敏感元件，其特征在于，所述的兩個模式轉換器分別為靠近光纖輸入端的第一模式轉換器和靠近光纖輸出端的第二模式轉換器；?

所述的第一模式轉換器用于將信號光由低階模式轉化為高階模式；?

所述的第二模式轉換器用于將信號光由高階模式轉化為低階模式。?

6.如權利要求5所述的全光纖結構的電場敏感元件，其特征在于，沿光纖長度方向，石墨烯薄膜與第一模式轉換器和第二模式轉換器的間距均小于1mm。?

7.如權利要求6所述的全光纖結構的電場敏感元件，其特征在于，所述石墨烯薄膜沿光纖長度方向上的長度為50～200μm。?

8.如權利要求7所述的全光纖結構的電場敏感元件，其特征在于，所述光纖的長度小于10cm。?

9.一種電場傳感裝置，其特征在于，包括如權利要求1～8中任意一項權?利要求所述的電場敏感元件。?

10.如權利要求9所述的電場傳感裝置，其特征在于，所述的電場傳感裝置還包括與電場敏感元件的輸入端連接的用于將輸入的信號光由線偏振光轉換為圓偏振光的第一偏振轉換器；?

與電場敏感元件的輸出端連接有用于將輸入的信號光由圓偏振光轉換為線偏振光的第二偏振轉換器；?

以及與所述的第二偏振轉換器的輸出端連接的光電探測器。?