[發(fā)明專利]表面處理壓延銅箔、層壓板、印刷布線板、電子機器及印刷布線板的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410514244.1 | 申請日: | 2014-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN104582244B | 公開(公告)日: | 2017-11-10 |
| 發(fā)明(設計)人: | 三木敦史;新井英太;新井康修;中室嘉一郎;青島一貴;冠和樹 | 申請(專利權(quán))人: | JX日礦日石金屬株式會社 |
| 主分類號: | H05K1/02 | 分類號: | H05K1/02;H05K1/09;H05K3/38 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11314 | 代理人: | 程偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 表面 處理 壓延 銅箔 層壓板 印刷 布線 電子 機器 制造 方法 | ||
1.一種表面處理壓延銅箔,其在:一個銅箔表面和/或兩個銅箔表面為表面處理面S,對于所述表面處理面S的一面或兩面、或者并非所述表面處理面S的表面,將自{112}面的算出X射線衍射強度設為I{112},將自{110}面的算出X射線衍射強度設為I{110}時,
滿足2.5≦I{110}/I{112}≦6.0,且是
將所述表面處理壓延銅箔、與貼合于銅箔前的下述ΔB(PI)為50以上65以下的聚酰亞胺從所述表面處理壓延銅箔的所述表面處理面S側(cè)進行層壓而構(gòu)成的覆銅箔層壓板中隔著所述聚酰亞胺的表面的基于JIS Z8730的色差ΔE*ab成為50以上的表面處理壓延銅箔,并且
將所述表面處理壓延銅箔從表面處理面S側(cè)貼合于聚酰亞胺樹脂基板的兩面后,通過蝕刻將所述兩面的壓延銅箔去除,
將印刷有線狀標記的印刷物鋪設于露出的所述聚酰亞胺基板之下,利用CCD攝像機,隔著所述聚酰亞胺基板對所述印刷物進行拍攝時,
在針對通過所述拍攝而獲得的圖像,沿著與所觀察的所述線狀標記延伸的方向垂直的方向,測定每個觀察地點的亮度而制作的觀察地點-亮度曲線中,
將從所述標記的端部至沒有繪制所述標記的部分所產(chǎn)生的亮度曲線的頂部平均值Bt減去底部平均值Bb而得到的差設為ΔB,在觀察地點-亮度曲線中,將表示亮度曲線與Bt的交點中最接近所述線狀標記的交點的位置的值設為t1,將表示在以Bt為基準從亮度曲線與Bt的交點至0.1ΔB的深度范圍內(nèi),亮度曲線與0.1ΔB的交點中最接近所述線狀標記的交點的位置的值設為t2時,下述(1)式所定義的Sv成為3.0以上,
Sv=(ΔB×0.1)/(t1-t2) (1)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理壓延銅箔,其中,所述一個銅箔表面為表面處理面S,且另一個銅箔表面經(jīng)過表面處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理壓延銅箔,其中,所述壓延銅箔由99.9質(zhì)量%以上的銅形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理壓延銅箔,其含有合計10~300質(zhì)量ppm的選自Ag、Sn、Mg、In、B、Ti、Zr及Au的群中的1種或2種以上,且剩余部分由Cu及不可避免的雜質(zhì)組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理壓延銅箔,其中,所述壓延銅箔含有2~50質(zhì)量ppm的氧。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理壓延銅箔,其在200℃加熱30分鐘后,在至少一個表面滿足I{112}/I{100}≦1.0。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理壓延銅箔,其在350℃加熱1秒鐘后,將所述壓延銅箔的壓延面的{200}面的X射線衍射強度設為I{200},將純銅粉末試樣的{200}面的X射線衍射強度設為I0{200}時,
滿足5.0≦I{200}/I0{200}≦27.0。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理壓延銅箔,其厚度為4~100μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理壓延銅箔,其中,所述表面處理面S和/或并非所述表面處理面S的銅箔表面的利用激光波長為405nm的激光顯微鏡所測得的TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上,所述TD為與壓延方向垂直的方向。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理壓延銅箔,其中,所述表面處理面S和/或并非所述表面處理面S的銅箔表面的利用激光波長為405nm的激光顯微鏡所測得的TD的算術(shù)平均粗糙度Ra為0.05μm以上,所述TD為與壓延方向垂直的方向。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面處理壓延銅箔,其中,所述表面處理面S和/或并非所述表面處理面S的銅箔表面的利用激光波長為405nm的激光顯微鏡所測得的TD的均方根高度Rq為0.08μm以上,所述TD為與壓延方向垂直的方向。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的表面處理壓延銅箔,其中,所述表面處理面S和/或并非所述表面處理面S的銅箔表面的利用激光波長為405nm的激光顯微鏡所測得的TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上,所述TD為與壓延方向垂直的方向。
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