[發明專利]一種HEMT器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201410509822.2
• 申請日: 2014-09-28
• 公開（公告）號: CN104465746B
• 公開（公告）日: 2018-08-10
• 發明（設計）人: 裴軼;張乃千
• 申請（專利權）人: 蘇州能訊高能半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/45;H01L21/335;H01L21/28
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 吳開磊

1.一種HEMT器件，其特征在于，包括：

襯底；

有源區，形成于所述襯底上；

勢壘區，形成于所述有源區上；

阻擋區，形成于所述勢壘區上；

柵極，形成于所述阻擋區上；

低電阻區，分別形成在所述柵極兩側，其中，所述低電阻區是以所述柵極為掩蔽，通過自對準工藝形成的，并且所述低電阻區具有摻雜粒子，所述摻雜粒子的濃度在豎直方向的峰值位于所述低電阻區中所述阻擋區對應部分以外的與所述有源區對應的部分或與所述勢壘區對應的部分；以及

源極和漏極，分別形成在所述柵極兩側的低電阻區上；

所述柵極的材料為難熔材料；

所述阻擋區材料中一種或多種在所述柵極刻蝕時的被蝕刻速率低于所述柵極材料中的一種或多種材料被蝕刻的速率；

其中，所述摻雜粒子為Si。

2.根據權利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述低電阻區的朝向柵極側的表面低于所述阻擋區的朝向柵極側的表面。

3.根據權利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件還包括柵極側墻，形成于所述柵極兩側或形成于所述柵極兩側及所述柵極上。

4.根據權利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件還包括柵介質，形成于所述阻擋區和所述柵極之間。

5.根據權利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述勢壘區為與所述有源區的材料形成異質結的半導體材料層；或者為

半導體材料與形成于其上的絕緣材料的疊層。

6.根據權利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件還包括緩沖層，形成于所述襯底和所述有源區之間，用于降低襯底和有源區之間的晶格失配。

7.根據權利要求1所述的HEMT器件，其特征在于，所述難熔材料選自以下組中的一種或多種：鎢、鉬、鉭、鈦和鉻；或者為

所述組中的材料的氮化物；或者為

所述組中的材料的合金；或者為

所述組中材料的疊層；或者為

所述組中的材料或所述組中的材料的氮化物或所述組中的材料的合金的疊層；或者為

所述組中的材料或所述組中的材料的氮化物或所述組中的材料的合金或絕緣材料的疊層。

8.根據權利要求1所述的HEMT器件，所述阻擋區包括：

抗蝕刻區，形成于所述勢壘區上，用于減少刻蝕對所述勢壘層造成的刻蝕損傷；

第一介質區，形成于所述抗蝕刻區上；

所述抗蝕刻區材料的被蝕刻速率優選的低于所述柵極材料中的一種或多種材料被蝕刻的速率；

所述第一介質區的材料為絕緣材料。

9.根據權利要求3所述的HEMT器件，所述柵極側墻在柵源和柵漏方向的寬度進行調節，且柵漏一側柵極側墻的寬度不小于柵源一側柵極側墻的寬度。

10.一種制造HEMT器件的方法，其特征在于，包括步驟：

S1、在襯底上形成有源層；

S2、在所述有源層上形成勢壘層；

S3、在所述勢壘層上形成阻擋層；

S4、在所述阻擋層上形成柵極；

S5、以所述柵極為掩蔽，通過自對準工藝在所述柵極兩側形成低電阻區并且形成阻擋區、有源區和勢壘區，其中所述低電阻區具有摻雜粒子；以及

S6、在所述柵極兩側的低電阻區分別形成源極和漏極；

其中，所述柵極的材料為難熔材料；

所述阻擋區材料中一種或多種在所述柵極刻蝕時的被蝕刻速率低于所述柵極材料中的一種或多種材料被蝕刻的速率；

其中，所述摻雜粒子的濃度在豎直方向的峰值位于所述低電阻區中所述阻擋區對應部分以外的與所述有源區對應的部分或與所述勢壘區對應的部分；

其中，所述摻雜粒子為Si。