[發明專利]ITO透明導電膜有效
| 申請號： | 201410508251.0 | 申請日： | 2014-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN104240799A | 公開（公告）日： | 2014-12-24 |
| 發明（設計）人： | 于甄;耿佳;丁曉峰;柯榮峰 | 申請（專利權）人： | 張家港康得新光電材料有限公司 |
| 主分類號： | H01B5/14 | 分類號： | H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215634 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | ito 透明 導電 | ||
1.一種ITO透明導電膜，其特征在于，所述ITO透明導電膜依次包括PET基材、第一IM層、第二IM層及ITO透明導電層，其中，
第一IM層包括涂布在所述PET基材上的HC硬化層以及位于所述HC硬化層上第一匹配層，所述第一匹配層的折射率大于HC硬化層的折射率，第一匹配層的折射率為1.46～1.49，所述第一匹配層與HC硬化層構成一對高低折射率匹配層；
第二IM層包括位于第一IM層上的第二匹配層以及第三匹配層，所述第二匹配層的折射率大于第一匹配層的折射率，第二匹配層的折射率為2.2～2.4，所述第三匹配層的折射率小于第二匹配層的折射率，第三匹配層的折射率為1.46～1.49，所述第二匹配層與第三匹配層構成一對高低折射率匹配層。
2.根據權利要求1所述的ITO透明導電膜，其特征在于，所述第一匹配層和第三匹配層的材料為SiOX或MgF2；第二匹配層的材料為NbOX。
3.根據權利要求2所述的ITO透明導電膜，其特征在于，所述第一匹配層和第三匹配層的折射率為1.47，第二匹配層的折射率為2.3。
4.根據權利要求2所述的ITO透明導電膜，其特征在于，所述第一匹配層的厚度為8～15nm，第二匹配層的厚度為8～10nm，第三匹配層的厚度為20～30nm。
5.根據權利要求1所述的ITO透明導電膜，其特征在于，所述ITO透明導電層的折射率為2.0～2.2。
6.根據權利要求5所述的ITO透明導電膜，其特征在于，所述ITO透明導電層的折射率為2.1。
7.根據權利要求6所述的ITO透明導電膜，其特征在于，所述ITO透明導電層的厚度為18～25nm。
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