[發(fā)明專利]光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)及形成方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410505490.0
• 申請(qǐng)日: 2014-09-26
• 公開（公告）號(hào): CN105511238B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡博修;黃怡
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號(hào): G03F9/00
• 分類號(hào): G03F9/00;H01L23/544
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 萬鐵占,駱蘇華

1.一種光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底中形成分別沿第一方向的第一光柵、具有相同光柵常數(shù)的第二光柵和第三光柵，和沿第二方向的第四光柵，所述第二方向和第一方向相互垂直；

使用光柵衍射技術(shù)，根據(jù)所述第一光柵獲得沿第一方向的第一對(duì)準(zhǔn)中心，根據(jù)所述第四光柵獲得沿第二方向的第二對(duì)準(zhǔn)中心；

以所述第一對(duì)準(zhǔn)中心作為光刻過程沿第一方向的對(duì)準(zhǔn)中心、和以所述第二對(duì)準(zhǔn)中心作為光刻過程沿第二方向的對(duì)準(zhǔn)中心，在所述基底上形成沿第一方向的第五光柵和第六光柵，所述第二光柵的刻線與第五光柵的刻線交錯(cuò)排布、且所述第五光柵相對(duì)于第二光柵沿第一方向偏移第一距離，所述第三光柵的刻線與第六光柵的刻線交錯(cuò)排布、且所述第六光柵相對(duì)于第三光柵沿第一方向的反方向偏移第一距離；

所述第一光柵、第二光柵、第三光柵、第四光柵、第五光柵和第六光柵作為光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述第一光柵、第二光柵第三光柵和第四光柵時(shí)，還在基底中形成沿第二方向的具有相同光柵常數(shù)的第七光柵和第八光柵；

在形成所述第五光柵和第六光柵時(shí)，還形成沿第二方向的第九光柵和第十光柵，所述第九光柵的刻線與第七光柵的刻線交錯(cuò)排布、且所述第九光柵相對(duì)于第七光柵沿第二方向偏移第二距離，所述第十光柵的刻線與第八光柵的刻線交錯(cuò)排布、且所述第十光柵相對(duì)于第八光柵沿第二方向的反方向偏移第二距離；

所述光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)還包括所述第七光柵、第八光柵、第九光柵和第十光柵。

3.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一光柵、第二光柵、第三光柵和第四光柵的形成方法為機(jī)械刻劃、全息光刻、電子束光刻、激光干涉光刻或聚焦離子束光刻。

4.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一距離的范圍為1nm～10nm。

5.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一光柵的光柵常數(shù)小于第二光柵的光柵常數(shù)。

6.如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二光柵和第三光柵沿第一方向平行排列，所述第二光柵和第三光柵之間的間距為小于等于100μm。

7.一種光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)，其特征在于，采用權(quán)利要求1所述的方法形成，包括：

位于基底中且沿第一方向的第一光柵、具有相同光柵常數(shù)的第二光柵和第三光柵，和沿第二方向的第四光柵，所述第二方向垂直于第一方向；

位于所述基底上且沿第一方向的第五光柵，所述第二光柵的刻線與第五光柵的刻線交錯(cuò)排布、且所述第五光柵相對(duì)于第二光柵沿第一方向偏移第一距離；

位于所述基底上且沿第一方向的第六光柵，所述第三光柵的刻線與第六光柵的刻線交錯(cuò)排布、且所述第六光柵相對(duì)于第三光柵沿第一方向的反方向偏移第一距離；

所述第五光柵相對(duì)于第二光柵、所述第六光柵相對(duì)于第三光柵還具有沿第一方向的套刻偏移量。

8.如權(quán)利要求7所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

位于所述基底上、且沿所述第二方向的具有相同光柵常數(shù)的第七光柵和第八光柵；

位于所述基底上且沿第二方向的第九光柵，所述第九光柵的刻線與第七光柵的刻線交錯(cuò)排布、且所述第九光柵相對(duì)于所述第七光柵沿第二方向偏移第二距離；

位于所述基底上且沿第二方向的第十光柵，所述第十光柵的刻線與第八光柵的刻線交錯(cuò)排布、且所述第十光柵相對(duì)于所述第八光柵沿第二方向的反方向偏移第二距離；

所述第九光柵相對(duì)于第七光柵、所述第十光柵相對(duì)于第八光柵具有沿第二方向的套刻偏移量。

9.如權(quán)利要求7所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一光柵的刻線、第二光柵的刻線、第三光柵的刻線、第四光柵的刻線均為劃線槽。

10.如權(quán)利要求7所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一光柵的光柵常數(shù)小于第二光柵的光柵常數(shù)。

11.如權(quán)利要求7所述的光刻對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二光柵和第三光柵沿第一方向平行排列，所述第二光柵和第三光柵之間的間距為小于等于100μm。