[發(fā)明專利]一種LDMOS器件及其制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410503435.8
• 申請日: 2014-09-26
• 公開（公告）號: CN104299998A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄭志星;喬伊·邁克格雷格;吉揚永
• 申請（專利權(quán)）人: 成都芯源系統(tǒng)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種制作橫向金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(LDMOS)器件的方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底上制作柵極區(qū)；

采用一掩膜將第一型摻雜物質(zhì)以一定角度傾斜注入半導(dǎo)體襯底；

采用相同的掩膜將第一型摻雜物質(zhì)垂直注入半導(dǎo)體襯底，其中傾斜注入形成的區(qū)域和垂直注入形成的區(qū)域共同用于形成LDMOS器件的體區(qū)；以及

制作源極區(qū)和漏極接觸區(qū)，其中源極區(qū)和漏極接觸區(qū)具有不同于第一型摻雜的第二型摻雜。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中制造柵極區(qū)包括在半導(dǎo)體襯底上制作介質(zhì)層以及在介質(zhì)層上制作導(dǎo)電層。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中垂直注入的深度大于傾斜注入的深度。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括在制作柵極區(qū)之前在半導(dǎo)體襯底中注入第二型摻雜物質(zhì)形成一阱區(qū)，其中該第二型摻雜濃度低于源極區(qū)和漏極接觸區(qū)的摻雜濃度。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中傾斜注入包括從多個方向以與垂直方向相同的角度向半導(dǎo)體襯底注入，其中傾斜注入用于形成體區(qū)的溝道區(qū)。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中第一型為P型，第二型為N型。

7.一種制作LDMOS器件的方法，包括：

在半導(dǎo)體襯底上制作柵極區(qū)；

采用一掩膜將第一型摻雜物質(zhì)垂直注入半導(dǎo)體襯底以形成LDMOS器件的體區(qū)；

采用快速熱退火工藝用于形成LDMOS器件的溝道；以及

制作源極區(qū)和漏極接觸區(qū)，其中源極區(qū)和漏極接觸區(qū)具有不同于第一型摻雜的第二型摻雜。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中垂直注入時和柵極區(qū)自對準。

9.如權(quán)利要求7所述的方法，進一步包括采用相同的掩膜制作輕摻雜漏極區(qū)，其中第一型摻雜為P型，第二型摻雜為N型。

10.一種LDMOS器件，包括：

柵極區(qū)；

具有第一型摻雜的漏極區(qū)；

具有第二型摻雜的體區(qū)，其中第一型摻雜不同于第二型摻雜；以及

位于體區(qū)內(nèi)的具有第一型摻雜的源極區(qū)；其中

漏極區(qū)位于柵極區(qū)的第一側(cè)，源極區(qū)位于柵極區(qū)的第二側(cè)，并且沿源極區(qū)向體區(qū)方向的第二型摻雜物質(zhì)的濃度最高值位于源極區(qū)下方。