[發明專利]一種高功率低偏振度的800nm波段SLD外延結構

有效

• 申請號: 201410503050.1
• 申請日: 2014-09-25
• 公開（公告）號: CN104362225B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 周勇;唐祖榮;段利華;劉萬清;劉尚軍
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第四十四研究所
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/06;H01L33/30
• 代理公司: 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙)11316
• 代理人: 劉佳

1.一種高功率低偏振度的800nm波段SLD外延結構，其特征在于，包括在N型襯底上順序層疊的N型緩沖層、N型下包層、下漸變層、有源層、上漸變層、P型上包層和P型接觸層，所述有源層的材料為GaAs_(1-x)P_x，其中所述x為材料磷組分，且0.01≤x≤0.08；采用GaAsP作為量子阱結構的阱層材料，通過調整阱層的組分來調整應變量和發光波長，使TE模和TM模的光強相等，從而達到低偏振度光輸出的要求，且發光波長恰好處于800nm波段。

2.根據權利要求1所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延結構，其特征在于，所述N型襯底的材料為GaAs。

3.根據權利要求1所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延結構，其特征在于，所述N型緩沖層的材料為GaAs，厚度為300-500nm，摻雜濃度為1E18cm^-3～2E18cm^-3。

4.根據權利要求1所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延結構，其特征在于，所述N型下包層的材料為Al_0.5Ga_0.5As，厚度為1300-1500nm，摻雜濃度為1E18cm^-3。

5.根據權利要求3或4所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延結構，其特征在于，所述N型摻雜源為硅烷。

6.根據權利要求1所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延結構，其特征在于，所述下漸變層的材料為A1GaAs，厚度為150-200nm，Al組分的漸變量為50％→20％。

7.根據權利要求1所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延結構，其特征在于，所述上漸變層的材料為A1GaAs，厚度為150-200nm，Al組分的漸變量為20％→50％。

8.根據權利要求1所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延結構，其特征在于，所述P型上包層的材料為Al_0.5Ga_0.5As，厚度為1300-1500nm，摻雜濃度為5E17cm^-3。

9.根據權利要求1所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延結構，其特征在于，所述P型接觸層的材料為GaAs，厚度為120-150nm，摻雜濃度為2E19cm^-3～3E19cm^-3。

10.根據權利要求8或9所述的高功率低偏振度的800nm波段SLD外延結構，其特征在于，所述P型摻雜源為二乙基鋅。