[發明專利]一種基于硅基圖形化襯底的復合緩沖層LED芯片在審
| 申請號： | 201410500728.0 | 申請日： | 2014-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN104241479A | 公開（公告）日： | 2014-12-24 |
| 發明（設計）人： | 孫芳魁;李青峰;李助鵬 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱工業大學 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 150000 黑龍*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 圖形 襯底 復合 緩沖 led 芯片 | ||
1.一種基于硅基圖形化襯底的復合緩沖層LED芯片，其特征在于所述芯片自下而上依次由硅襯底、復合協變緩沖層、圖形化襯底層、n型GaN外延層、InGaN/GaN多量子阱、P型GaN層、透明導電膜及其電極組成。
2.根據權利要求1所述的基于硅基圖形化襯底的復合緩沖層LED芯片，其特征在于所述圖形化襯底層的成分為硅。
3.根據權利要求1或2所述的基于硅基圖形化襯底的復合緩沖層LED芯片，其特征在于所述圖形化襯底層的圖形化單元為圓形。
4.根據權利要求3所述的基于硅基圖形化襯底的復合緩沖層LED芯片，其特征在于所述圖形化單元的半徑為4～7微米之間，刻蝕厚度為1～3微米之間。
5.根據權利要求1所述的基于硅基圖形化襯底的復合緩沖層LED芯片，其特征在于所述的復合協變緩沖層為由氮化鈦層和氮化鋁層交替生長排列的多層結構。
6.根據權利要求5所述的基于硅基圖形化襯底的復合緩沖層LED芯片，其特征在于所述單層氮化鈦層的厚度為單層氮化鋁層厚度的3/5。
7.根據權利要求5或6所述的基于硅基圖形化襯底的復合緩沖層LED芯片，其特征在于所述氮化鈦層和氮化鋁層的單層厚度在0.2～0.6微米之間。
8.根據權利要求1或5所述的基于硅基圖形化襯底的復合緩沖層LED芯片，其特征在于所述芯片中含有2～41層復合協變緩沖層。
9.根據權利要求8所述的基于硅基圖形化襯底的復合緩沖層LED芯片，其特征在于所述復合協變緩沖層的層數為16層。
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