[發明專利]一種去除含Si籠狀化合物中硅及含硅化合物雜相的方法有效
| 申請號: | 201410499587.5 | 申請日: | 2014-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN104308140A | 公開(公告)日: | 2015-01-28 |
| 發明(設計)人: | 畢山力;劉麗華;李陽 | 申請(專利權)人: | 北京科技大學 |
| 主分類號: | B22F1/00 | 分類號: | B22F1/00;C23G1/14;C23G1/02 |
| 代理公司: | 北京市廣友專利事務所有限責任公司 11237 | 代理人: | 張仲波 |
| 地址: | 100083*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 去除 si 化合物 方法 | ||
1.一種去除含Si籠狀化合物中包含的硅及硅化物雜相的方法,其特征在于包括如下步驟:
(1)按照預合成的含Si籠狀化合物的分子式,稱量高純單質元素作為原料;
(2)按常規的方法冶煉樣品;
(3)將冶煉所得合金敲碎,于研缽中進行充分研磨;
(4)使用高能球磨機球磨研磨后的粉末,球磨時間為20~40分鐘;
(5)堿洗:將球磨后的粉末倒入堿溶液中浸泡12小時;
(6)過濾溶液,獲得過濾后的粉末;
(7)酸洗:將粉末倒入稀鹽酸溶液中,并用玻璃棒不斷的攪拌溶液;
(8)過濾溶液,并用去離子水反復沖洗過濾后的粉末;
(9)干燥粉末,得到最終樣品。
2.根據權利要求1所述的去除含Si籠狀化合物中包含的硅及硅化物雜相的方法,其特征在于所述的步驟(5)使用NaOH溶液,濃度為0.5mol/L,粉末樣品與NaOH溶液的配比為每100ml溶液加入1g粉末。
3.根據權利要求1所述的去除含Si籠狀化合物中包含的硅及硅化物雜相的方法,其特征在于所述步驟(3)的球磨過程中加入去離子水。
4.根據權利要求1所述的去除含Si籠狀化合物中包含的硅及硅化物雜相的方法,其特征在于所述含Si籠狀化合物具有第Ⅰ類籠狀化合物的結構,其分子式為A8Si46-xMx,且0≤x≤16。
5.根據權利要求1所述的去除含Si籠狀化合物中包含的硅及硅化物雜相的方法,其特征在于所述含Si籠狀化合物具有第Ⅱ類籠狀化合物的結構,其分子式為AxSi136-yMy,且0<x≤24,y≥0。
6.根據權利要求1所述的去除含Si籠狀化合物中包含的硅及硅化物雜相的方法,其特征在于所述含Si籠狀化合物具有第Ⅷ類籠狀化合物的結構,,其分子式為A8Si46-xMx,且0<x≤16。
7.根據權利要求1所述的去除含Si籠狀化合物中包含的硅及硅化物雜相的方法,其特征在于所述含Si籠狀化合物具有第Ⅸ類籠狀化合物的結構,其分子式為A8Si25-xMx,且0<x≤25。
8.根據權利要求4-7所述的去除含Si籠狀化合物中包含的硅及硅化物雜相的方法,其特征在于所述含Si籠狀化合物的分子式中A為以下任意一種元素或其組合:Li、Na、K、Rb、Cs、Fr、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Y、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、La、Lu。
9.根據權利要求4-7所述的去除含Si籠狀化合物中包含的硅及硅化物雜相的方法,其特征在于所述含Si籠狀化合物分子式中M為以下任意一種元素或其組合:Cu、Zn、Ag、Au、Al、Ga、In、Ge、Sn、Fe、Co、Ni、Pt、Sb、Bi、B、As、Hg、Mn、As、Pd、Cd、Bi、P、Rh、P。
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