[發明專利]一種氮化硅結合碳化硅多孔陶瓷膜的制備方法

有效

• 申請號: 201410491594.0
• 申請日: 2014-09-23
• 公開（公告）號: CN104261868A
• 公開（公告）日: 2015-01-07
• 發明（設計）人: 徐慢;沈凡;季家友;陳常連;石和彬;曹宏;薛俊;王樹林;安子博;趙靜;吳庭;王亮;祝云
• 申請（專利權）人: 武漢工程大學
• 主分類號: C04B38/06
• 分類號: C04B38/06;C04B35/584;C04B35/622
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 崔友明

1.一種氮化硅結合碳化硅多孔陶瓷膜的制備方法，包括有以下步驟：

1)素胚的成型

A1、原材料選?。航饘俟璺?、碳化硅粉、低密度聚乙烯、鄰苯二甲酸二丁酯、氧化釔按質量比100:10-30:5-10：0.1-0.4：3-4選取備用；

B1、原材料混合：按比例選取的原材料在120℃的溫度下混合形成均勻的混合物；

C1、素胚的成型：將步驟B1所得的混合物放入擠出成型機，成型為多通道管狀素胚；

2)膜層的涂覆

A2、膜層漿液制備：水、金屬硅粉、碳化硅粉、纖維素醚、氧化釔按質量比100:30-40:15-20：0.1-0.5：4-5混合均勻，制得膜層漿液；

B2、膜層的涂覆：將膜層漿液注入按步驟1)制備的多通道管狀素胚的通道中，流動20-30s，制得碳化硅胚體；

3)燒結

A3、干燥：將步驟2)制備的碳化硅胚體置于的烘箱中干燥，再置于烘箱中干燥；

B3、燒結：將通過步驟A3干燥后的試件置于空氣氣氛爐中保溫，再置于氮氣氣氛爐內保溫，最后隨爐冷卻至室溫，制得氮化硅結合碳化硅多孔陶瓷膜材料。

2.根據權利要求1所述的氮化硅結合碳化硅多孔陶瓷膜的制備方法，其特征在于步驟3)所述干燥溫度為40-60℃，干燥時間為1-2h。

3.根據權利要求1所述的氮化硅結合碳化硅多孔陶瓷膜的制備方法，其特征在于空氣氣氛爐保溫溫度為500-600℃，保溫時間為2-3h；氮氣氣氛爐內保溫溫度為1300-1500℃，保溫時間為3-5h。

4.根據權利要求1或2或3所述的氮化硅結合碳化硅多孔陶瓷膜的制備方法，其特征在于步驟1)中所述的碳化硅粉和金屬硅粉平均粒徑為80-100μm，純度大于98％；；低密度聚乙烯的軟化點80-90℃。

5.根據權利要求1或2或3所述的氮化硅結合碳化硅多孔陶瓷膜的制備方法，其特征在于步驟2)中所述的碳化硅粉、金屬硅粉平均粒徑為1-10μm，純度大于98％；纖維素醚為羥甲基纖維素醚或羥乙基纖維素醚，分子量為20000。