[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410491389.4
• 申請日: 2010-10-05
• 公開（公告）號: CN104282691B
• 公開（公告）日: 2018-05-18
• 發明（設計）人: 山崎舜平;小山潤;加藤清
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L27/10
• 分類號: H01L27/10;H01L27/108;H01L27/115
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 申發振

1.一種半導體裝置，包括：

包含含有硅的半導體材料的襯底；

具有第一柵電極、第一源電極以及第一漏電極的第一晶體管；

具有第二柵電極、第二源電極以及第二漏電極的第二晶體管，所述第二漏電極和所述第二源電極中的一個與所述第一柵電極電連接且直接與所述第一柵電極連接；以及

具有第三柵電極、第三源電極以及第三漏電極的第三晶體管，所述第三源電極和所述第三漏電極中的一個與所述第一源電極和所述第一漏電極中的一個電連接，并且所述第三源電極和所述第三漏電極中的另一個與所述第一源電極和所述第一漏電極中的另一個電連接，

其中，所述第一晶體管的溝道形成區域被包含于所述襯底中，

所述第二晶體管包含含有銦、鎵及鋅的氧化物半導體層，所述第二晶體管的溝道形成區域被包含于所述氧化物半導體層中，

并且，施加于所述第二柵電極的電壓不同于施加于所述第三柵電極的電壓。

2.一種半導體裝置，包括：

襯底；

具有第一柵電極、第一源電極以及第一漏電極的第一晶體管；

所述第一晶體管上的第一層間絕緣層；

所述第一層間絕緣層上的第二晶體管，所述第二晶體管具有第二柵電極、第二源電極以及第二漏電極，所述第二漏電極和所述第二源電極中的一個與所述第一柵電極電連接且直接與所述第一柵電極連接；

所述第二晶體管上的第二層間絕緣層；

所述第二層間絕緣層上的電極；以及

具有第三柵電極、第三源電極以及第三漏電極的第三晶體管，所述第三源電極和所述第三漏電極中的一個與所述第一源電極和所述第一漏電極中的一個電連接，并且所述第三源電極和所述第三漏電極中的另一個與所述第一源電極和所述第一漏電極中的另一個電連接，

其中，所述第一柵電極經由所述電極與所述第二漏電極和所述第二源電極中的所述一個電連接，

并且，施加于所述第二柵電極的電壓不同于施加于所述第三柵電極的電壓。

3.一種半導體裝置，包括：

襯底；

第一布線；

第二布線；

多個第三布線；

多個第四布線；

多個第五布線，

第一層間絕緣層；

第二層間絕緣層；以及

多個存儲元件，串聯連接在所述第一布線和所述第二布線之間，每個存儲元件包括：

具有第一柵電極、第一源電極以及第一漏電極的第一晶體管；

所述第一晶體管上的第一層間絕緣層；

所述第一層間絕緣層上的第二晶體管，所述第二晶體管具有第二柵電極、第二源電極以及第二漏電極，所述第二漏電極和所述第二源電極中的一個與所述第一柵電極電連接；

所述第二晶體管上的第二層間絕緣層；

所述第二層間絕緣層上的電極；以及

具有第三柵電極、第三源電極以及第三漏電極的第三晶體管，所述第三源電極和所述第三漏電極中的一個與所述第一源電極和所述第一漏電極中的一個電連接，并且所述第三源電極和所述第三漏電極中的另一個與所述第一源電極和所述第一漏電極中的另一個電連接，

其中，所述第一布線、所述第一源電極以及所述第三源電極相互電連接，

所述第一布線通過不經過所述多個存儲元件中的第一最外存儲元件的第一晶體管的溝道形成區域、或者不經過所述多個存儲元件中的所述第一最外存儲元件的第三晶體管的溝道形成區域的電路徑，與所述多個存儲元件中的所述第一最外存儲元件的第一源電極和第一漏電極中的一個電連接，

所述第二布線通過不經過所述多個存儲元件中的第二最外存儲元件的第一晶體管的溝道形成區域、或者不經過所述多個存儲元件中的所述第二最外存儲元件的第三晶體管的溝道形成區域的電路徑，與所述多個存儲元件中的所述第二最外存儲元件的第一源電極和第一漏電極中的一個電連接，

所述第三布線與相應的第二源電極或第二漏電極電連接，

所述第四布線與所述第二柵電極電連接，

所述第五布線與相應的第三柵電極電連接，

并且，所述第一柵電極經由相應的電極與相應的第二源電極或第二漏電極電連接。