[發明專利]制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201410490474.9
• 申請日: 2014-09-23
• 公開（公告）號: CN104517926B
• 公開（公告）日: 2018-05-22
• 發明（設計）人: 弗雷克·E·范斯坦騰;杰里米·喬伊·蒙塔爾博·因科米奧;埃爾伯塔斯·雷杰斯
• 申請（專利權）人: 安普林荷蘭有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 黎艷

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

預備引線框架，所述引線框架包括：

基座部分，所述基座部分包括設置為安裝一個或多個半導體器件管芯的頂部表面；

多個連接引線，每個連接引線包括用于外部連接的相對于所述基座部分的所述頂部表面水平地設置的部分，以及用于連接至所述一個或多個半導體器件管芯的具有角度的尖端部分，所述具有角度的尖端部分相對于所述基座部分的所述頂部表面具有正角度，其中，每個連接引線的厚度為使得所述具有角度的尖端部分在模制過程中可以被變形；

通過薄膜輔助成型模制所述基座部分和所述多個連接引線，其中，所述具有角度的尖端部分在所述薄膜輔助成型過程中用于與第一薄膜封合，所述具有角度的尖端部分在所述薄膜輔助成型過程中變形，使得在所述薄膜輔助成型之后，所述具有角度的尖端部分相對于所述基座部分水平地布置；

在所述薄膜輔助成型之后將所述一個或多個半導體器件管芯安裝至所述基座部分的所述頂部表面；

在所述薄膜輔助成型之后將安裝的所述一個或多個半導體器件管芯打線焊至所述多個連接引線。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜輔助成型包括：

將所述第一薄膜放置在所述多個連接引線和所述基座部分上方；

將第二薄膜放置在所述多個連接引線和所述基座部分的下方；

圍繞所述基座部分和所述多個連接引線封閉所述第一薄膜和所述第二薄膜，以此在所述多個連接引線的頂部和底部中所述多個連接引線與所述基座部分重合的地方、以及在所述多個連接引線和所述基座部分之間生成空腔，其中，所述多個連接引線的所述具有角度的尖端部分設置為封閉所述第一薄膜；

將模制合成物注入所述空腔，從而將所述多個連接引線與所述基座部分電隔離。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述具有角度的尖端部分配置為在所述薄膜輔助成型過程中彈性地偏向所述第一薄膜。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述多個連接引線為浮置引線。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述浮置引線物理上與所述基座部分相隔離。

6.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述具有角度的尖端部分與所述基座疊置。

7.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述多個連接引線中的每個連接引線的一端被鉗制在位于連筋處的模制機器中。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有角度的尖端部分相對于所述基座部分的所述頂部表面具有在3度至5度之間的正角度。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多個連接引線中的每個連接引線具有在0.2毫米至0.5毫米之間的厚度。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有角度的尖端部分的邊緣包括收容部分。

11.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體器件為射頻放大器器件。