[發(fā)明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410475455.9
• 申請日: 2014-09-17
• 公開（公告）號: CN104362153B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馮博;馬禹
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,黃燦

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射、制造成本相對較低等特點，在當(dāng)前的平板顯示器市場占據(jù)了主導(dǎo)地位。TFT-LCD的主體結(jié)構(gòu)為對盒的陣列基板和彩膜基板，在陣列基板和彩膜基板之間填充有液晶分子。在陣列基板上形成有橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，限定多個像素單元，每個像素單元包括薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)和像素電極，在薄膜晶體管上覆蓋有鈍化層。TFT的漏電極和像素電極電性連接，源電極和數(shù)據(jù)線電性連接，柵電極和柵線電性連接。數(shù)據(jù)線上傳輸?shù)南袼仉妷和ㄟ^薄膜晶體管輸出至像素電極，像素電極與公共電極配合，形成驅(qū)動液晶分子偏轉(zhuǎn)的驅(qū)動電場，實現(xiàn)特定灰階的顯示。

TFT-LCD的非顯示區(qū)域包括引線區(qū)域，所述引線區(qū)域包括多條引線，所述引線用于連接驅(qū)動芯片，為柵線和數(shù)據(jù)線提供所需的信號。

為了方便后續(xù)的測試，實際工藝中，引線的端部是封閉連接的，如圖1所示，以對所有的柵線或數(shù)據(jù)線施加相同的信號，方便對薄膜晶體管的電學(xué)特性等進(jìn)行測試。在測試完成后，再沿直線L切割基板，使得引線之間斷開。

然而，切割基板后會使得引線的端部直接暴露在環(huán)境中。由于制造顯示裝置的環(huán)境不是嚴(yán)格的干燥環(huán)境，環(huán)境中存在的水汽或者其他物質(zhì)會導(dǎo)致引線的腐蝕，大大降低了產(chǎn)品良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，用以解決引腳導(dǎo)線的端部暴露在環(huán)境中，會被水汽或者其他物質(zhì)腐蝕，大大降低了產(chǎn)品良率的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供陣列基板，包括引線區(qū)域，所述引線區(qū)域包括多條引線，所述引線包括第一透明導(dǎo)電層，所述第一透明導(dǎo)電層用于與芯片引腳電性連接，所述引線還包括：

至少兩個金屬層，位于所述第一透明導(dǎo)電層下方，所述第一透明導(dǎo)電層與其中一個金屬層電性連接；

其中，相鄰的兩個金屬層之間形成有絕緣層，且相鄰的兩個金屬層電性連接，至少一個金屬層的端部被絕緣層包覆。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述引線包括兩個金屬層；

其中一個金屬層的端部被絕緣層包覆。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述引線還包括：

第二透明導(dǎo)電層，位于所述兩個金屬層下方；

所述第一透明導(dǎo)電層包覆所述兩個金屬層的側(cè)面，并與所述第二透明導(dǎo)電層電性連接。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述陣列基板還包括顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域包括：

薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵電極由柵金屬形成，源電極和漏電極由源漏金屬形成；

像素電極，由透明導(dǎo)電材料形成；

所述引線的兩個金屬層分別為柵金屬層和源漏金屬層。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述引線的第一透明導(dǎo)電層與像素電極由同一透明導(dǎo)電膜層形成；

所述引線的柵金屬層與薄膜晶體管的柵電極由同一柵金屬膜層形成；

所述引線的源漏金屬層與薄膜晶體管的源電極和漏電極由同一源漏金屬膜層形成。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述顯示區(qū)域還包括：

公共電極，由透明導(dǎo)電材料形成；

所述引線的第二透明導(dǎo)電層與所述公共電極由同一透明導(dǎo)電膜層形成，其中，所述像素電極為狹縫電極，所述公共電極為板狀電極。

如上所述的陣列基板，優(yōu)選的是，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管；

所述引線的源漏金屬層位于第一透明導(dǎo)電層和柵金屬層之間，所述第一透明導(dǎo)電層和源漏金屬層之間形成有第一絕緣層，所述源漏金屬層和柵金屬層之間形成有第二絕緣層；

所述第一絕緣層中形成有第一過孔，露出源漏金屬層；所述第二絕緣層中形成有第二過孔，露出柵金屬層；

所述第一透明導(dǎo)電層填充所述第一過孔與源漏金屬層電性接觸；所述源漏金屬層填充所述第二過孔與柵金屬層電性接觸；

所述第二透明導(dǎo)電層位于柵金屬層下方，與柵金屬層直接電性接觸，所述第一透明導(dǎo)電層包覆在源漏金屬層和柵金屬層的側(cè)面，與第二透明導(dǎo)電層電性接觸。

本發(fā)明還提供一種顯示裝置，其包括陣列基板，所述陣列基板采用如上所述的陣列基板。

本發(fā)明還提供一種如上所述的陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括引線區(qū)域，所述制作方法包括：