[發明專利]陣列基板及其制作方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 201410475455.9
• 申請日: 2014-09-17
• 公開（公告）號: CN104362153B
• 公開（公告）日: 2017-07-04
• 發明（設計）人: 馮博;馬禹
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,黃燦

1.一種陣列基板，包括引線區域，所述引線區域包括多條引線，所述引線包括第一透明導電層，所述第一透明導電層用于與芯片引腳電性連接，其特征在于，所述引線還包括：

至少兩個金屬層，位于所述第一透明導電層下方，所述第一透明導電層與其中一個金屬層電性連接；

其中，相鄰的兩個金屬層之間形成有第二絕緣層，且相鄰的兩個金屬層電性連接，至少一個金屬層的端部被第二絕緣層包覆，所述第一透明導電層與位于其下方的金屬層之間具有第一絕緣層，所述第一透明導電層與位于其下方的金屬層電性連接。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述引線包括兩個金屬層；

其中一個金屬層的端部被絕緣層包覆。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述引線還包括：

第二透明導電層，位于所述兩個金屬層下方；

所述第一透明導電層包覆所述兩個金屬層的側面，并與所述第二透明導電層電性連接。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括顯示區域，所述顯示區域包括：

薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵電極由柵金屬形成，源電極和漏電極由源漏金屬形成；

像素電極，由透明導電材料形成；

所述引線的兩個金屬層分別為柵金屬層和源漏金屬層。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述引線的第一透明導電層與像素電極由同一透明導電膜層形成；

所述引線的柵金屬層與薄膜晶體管的柵電極由同一柵金屬膜層形成；

所述引線的源漏金屬層與薄膜晶體管的源電極和漏電極由同一源漏金屬膜層形成。

6.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述顯示區域還包括：

公共電極，由透明導電材料形成；

所述引線的第二透明導電層與所述公共電極由同一透明導電膜層形成，其中，所述像素電極為狹縫電極，所述公共電極為板狀電極。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管；

所述引線的源漏金屬層位于第一透明導電層和柵金屬層之間，所述第一透明導電層和源漏金屬層之間形成有第一絕緣層，所述源漏金屬層和柵金屬層之間形成有第二絕緣層；

所述第一絕緣層中形成有第一過孔，露出源漏金屬層；所述第二絕緣層中形成有第二過孔，露出柵金屬層；

所述第一透明導電層填充所述第一過孔與源漏金屬層電性接觸；所述源漏金屬層填充所述第二過孔與柵金屬層電性接觸；

所述第二透明導電層位于柵金屬層下方，與柵金屬層直接電性接觸，所述第一透明導電層包覆在源漏金屬層和柵金屬層的側面，與第二透明導電層電性接觸。

8.一種顯示裝置，包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板采用權利要求1-7任一項所述的陣列基板。

9.一種權利要求1-7任一項所述的陣列基板的制作方法，所述陣列基板包括引線區域，所述制作方法包括：

在一襯底基板上形成多條引線，所述引線位于所述引線區域；

形成所述引線的步驟包括：

在所述襯底基板上形成第一透明導電層，所述第一透明導電層用于與芯片引腳電性連接，其特征在于，形成所述引線的步驟還包括：

在所述第一透明導電層的下方形成至少兩個金屬層，所述第一透明導電層與其中一個金屬層電性連接；

其中，相鄰的兩個金屬層之間形成有第二絕緣層，且相鄰的兩個金屬層電性連接，至少一個金屬層的端部被第二絕緣層包覆，所述第一透明導電層與位于其下方的金屬層之間具有第一絕緣層，所述第一透明導電層與位于其下方的金屬層電性連接。

10.根據權利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述引線包括兩個金屬層；

其中一個金屬層的端部被絕緣層包覆。

11.根據權利要求10所述的制作方法，其特征在于，形成所述引線的步驟還包括：

在所述兩個金屬層的下方形成第二透明導電層；

所述第一透明導電層包覆所述兩個金屬層的側面，與所述第二透明導電層電性連接。