[發(fā)明專利]一種自適應紅外焦平面陣列讀出電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410474760.6 | 申請日： | 2014-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN104251741B | 公開（公告）日： | 2017-07-18 |
| 發(fā)明（設計）人： | 呂堅;魏林海;吳傳福;呂靜;周云 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G01J5/24 | 分類號： | G01J5/24 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務所(普通合伙)51220 | 代理人： | 譚新民 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 自適應 紅外 平面 陣列 讀出 電路 | ||
1.一種自適應紅外焦平面陣列讀出電路，其特征在于，包括：
自適應襯底溫度補償電路，所述自適應襯底溫度補償電路連接到通道級微測輻射熱計盲電阻和像素級微測輻射熱計紅外敏感電阻；
偏置電路，所述偏置電路連接到所述自適應襯底溫度補償電路并通過所述自適應襯底溫度補償電路為所述通道級微測輻射熱計盲電阻和像素級微測輻射熱計紅外敏感電阻提供偏置電流；
其中所述自適應襯底溫度補償電路基于所述通道級微測輻射熱計盲電阻產生自適應偏置電壓，并用所述自適應偏置電壓偏置所述像素級微測輻射熱計紅外敏感電阻；
所述偏置電路包括參考偏置電流源（IBIAS）和第五MOS管（MP3），其中所述第五MOS管（MP3）的源極連接到系統(tǒng)電源（VDD），所述第五MOS管（MP3）的漏極連接到所述第五MOS管（MP3）的柵極并且連接到所述參考偏置電流源（IBIAS），所述第五MOS管（MP3）的柵極連接到所述偏置電路的輸出端；
所述自適應襯底溫度補償電路包括第一MOS管（MN1）、第二MOS管（MN2）、第三MOS管（MP1）和第四MOS管（MP2），其中：
所述第三MOS管（MP1）的柵極連接到所述偏置電路的輸出端并且連接到所述第四MOS管（MP2）的柵極，所述第三MOS管（MP1）的源極連接到系統(tǒng)電源（VDD），所述第三MOS管（MP1）的漏極連接到所述第一MOS管（MN1）的漏極和柵極；
所述第一MOS管（MN1）的源極連接到所述通道級微測輻射熱計盲電阻（Rb），所述第一MOS管（MN1）的柵極連接到所述第二MOS管（MN2）的柵極；
所述第二MOS管（MN2）的源極連接到所述像素級微測輻射熱計紅外敏感電阻（Rs），所述第二MOS管（MN2）的漏極連接到所述自適應襯底溫度補償電路的輸出端并且連接到所述第四MOS管（MP2）的漏極；
所述第四MOS管（MP2）的源極連接到系統(tǒng)電源（VDD）。
2.如權利要求1所述的電路，其特征在于，還包括：
積分電路，所述積分電路連接到所述自適應襯底溫度補償電路的輸出端，并積分所述自適應襯底溫度補償電路的輸出電流獲得輸出電壓。
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