[發(fā)明專利]三電平三相橋電路及其模塊化結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410474689.1
• 申請(qǐng)日: 2014-09-17
• 公開（公告）號(hào): CN104300819A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 路永輝;楊占峰;季建輝;董曉偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 思源清能電氣電子有限公司
• 主分類號(hào): H02M7/487
• 分類號(hào): H02M7/487;H02M7/5387
• 代理公司: 上海伯瑞杰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31227
• 代理人: 韓松

1.一種三電平三相橋電路，設(shè)于直流電與三相交流電之間，其特征在于，

所述三電平三相橋電路中的任意一相均包括并聯(lián)的兩組電路單元以及2只串聯(lián)的直流電容，每組電路單元包括依次連接的第一IGBT至第四IGBT以及2個(gè)鉗位二極管，每個(gè)IGBT還設(shè)有與其反并聯(lián)的續(xù)流二極管；其中，第一IGBT的發(fā)射極與第二IGBT的集電極連接，第二IGBT的發(fā)射極與第三IGBT的集電極連接，第三IGBT的發(fā)射極與第四的集電極連接；所述2個(gè)鉗位二極管串聯(lián)后并聯(lián)在第二IGBT的集電極和第三IGBT的發(fā)射極之間；其中，第一鉗位二極管的陰極與所述第二IGBT的集電極相連，第二鉗位二極管的陽(yáng)極與所述第三IGBT的發(fā)射極相連；

任意一相中的兩組電路單元中的相對(duì)應(yīng)的IGBT的集電極以及發(fā)射極分別短接，其中，所述兩組電路單元中的第一IGBT的集電極短接并與直流的正極輸入端相連；所述兩組電路單元中的第四IGBT的發(fā)射極短接并與直流的負(fù)極輸入端相連；所述兩組電路單元中的第二IGBT的發(fā)射極短接并作為該相交流輸出端；

任意一相中的2只串聯(lián)的直流電容并聯(lián)于直流的正、負(fù)極輸入端之間，2只直流電容的中點(diǎn)和串聯(lián)的2個(gè)鉗位二極管的中點(diǎn)連接作為直流電壓中點(diǎn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三電平三相橋電路，其特征在于，

所述任意一相中的每組電路單元中的第二IGBT的集電極與發(fā)射極之間、第三IGBT的集電極與發(fā)射極之間均設(shè)由吸收回路，所述吸收回路包括串聯(lián)的吸收電阻以及吸收電容。

3.一種實(shí)現(xiàn)根據(jù)權(quán)利要求1所述的三電平三相橋電路的模塊化結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述每組電路單元中的所述第一IGBT及與其反并聯(lián)的續(xù)流二極管、所述第二IGBT及與其反并聯(lián)的續(xù)流二極管以及第一鉗位二極管封裝為M1模塊；

所述每組電路單元中的所述第三IGBT及與其反并聯(lián)的續(xù)流二極管、所述第四IGBT及與其反并聯(lián)的續(xù)流二極管以及第二鉗位二極管封裝為M2模塊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的模塊化結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述任意一相的兩組電路單元采用以下順序水平間隔安裝在散熱器上：第一組電路單元中的M1模塊、第一組電路單元中的M2模塊、第二組電路單元中的M1模塊、第二組電路單元中的M2模塊。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的模塊化結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述M1模塊中的第二IGBT的集電極、發(fā)射極之間以及所述M2模塊中的第三IGBT的集電極、發(fā)射極之間均設(shè)由吸收回路，所述吸收回路包括串聯(lián)的吸收電阻以及吸收電容。