[發明專利]半導體組件及制造半導體組件的方法

有效

• 申請號: 201410474255.1
• 申請日: 2011-07-13
• 公開（公告）號: CN104269390B
• 公開（公告）日: 2018-07-17
• 發明（設計）人: 吳偉誠;侯上勇;鄭心圃;劉醇鴻;邱志威;史朝文
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/522;H01L23/31;H01L21/60
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導體組件，其特征在于，包含：

一金屬接合墊，位于一半導體基材之上；

一保護層，位于該金屬接合墊之上，且該保護層暴露出該金屬接合墊的一第一部分；

一環狀層，位于該保護層及該金屬接合墊之上，其中該環狀層暴露出該金屬接合墊的一第二部分，該金屬接合墊的該第二部分是位于該金屬接合墊的該第一部分之內，且該環狀層覆蓋部分的該保護層；

一凸塊下金屬層，位于該環狀層之上，且該凸塊下金屬層電性連接至該金屬接合墊的該第二部分；以及

一金屬凸塊，位于該凸塊下金屬層之上，其中該金屬凸塊包含一銅柱、位于該銅柱之上的一遮蔽層，以及位于該遮蔽層之上的一焊料層，其中該環狀層包含一鋁層或一銅層。

2.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，該環狀層從該凸塊下金屬層的邊緣延伸一距離，其中該距離D為5微米至15微米。

3.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，該遮蔽層包含鎳，且該焊料層包含一無鉛焊料層，其中該遮蔽層是作為阻障層以避免銅柱中的銅擴散至該焊料層中。

4.根據權利要求1所述的半導體組件，其特征在于，該環狀層包含至少一圓形環、一方形環以及一八邊形環。

5.一種半導體組件，其特征在于，包含：

一金屬接合墊，位于一半導體基材之上；

一保護層，位于該金屬接合墊之上，且該保護層暴露出該金屬接合墊的一部分；

一內連接線，位于該保護層之上，且該內連接線電性連接至該金屬接合墊被暴露出的該部分；

一阻障層，位于該內連接線之上，且該阻障層暴露出該內連接線的一部分；

一環狀層，位于該阻障層之上，且該環狀層電性連接至該內連接線被暴露出的該部分；

一凸塊下金屬層，位于該環狀層之上，且該凸塊下金屬層電性連接至該內連接線被暴露出的該部分；以及

一金屬凸塊，位于該凸塊下金屬層之上，其中該金屬凸塊包含一銅柱、位于該銅柱之上的一遮蔽層，以及位于該遮蔽層之上的一焊料層，其中該環狀層包含一鋁層或一銅層。

6.根據權利要求5所述的半導體組件，其特征在于，該遮蔽層包含鎳，且該焊料層包含一無鉛焊料層，其中該遮蔽層是作為阻障層以避免銅柱中的銅擴散至該焊料層中。

7.根據權利要求5所述的半導體組件，其特征在于，該環狀層包含至少一圓形環、一方形環以及一八邊形環。

8.一種制造半導體組件的方法，其特征在于，包含：

提供一半導體基材，其中該半導體基材具有一傳導區；

形成一介電層，其中該介電層是位于該半導體基材之上；

形成一第一開口部于該介電層中，以暴露出該傳導區的一部分；

形成一環狀層，其中該環狀層是位于該介電層之上，該環狀層暴露出該傳導區被暴露出的該部分的至少一部分，且該環狀層覆蓋部分的該介電層；

形成一凸塊下金屬層，其中該凸塊下金屬層是位于該環狀層、該介電層與該傳導區之上；

形成一遮罩層，其中該遮罩層具有一第二開口部，且位于該凸塊下金屬層之上；

形成一傳導材料層于該遮罩層的該第二開口部中，且其中該傳導材料層電性連接至該凸塊下金屬層；以及

移除該遮罩層；以及

使用該傳導材料層為遮罩，蝕刻該凸塊下金屬層，以暴露出該傳導材料層之外的該介電層及該環狀層，其中該傳導材料層包含一銅柱、位于該銅柱之上的一遮蔽層，以及位于該遮蔽層之上的一焊料層，其中該環狀層包含一鋁層或一銅層。

9.根據權利要求8所述的制造半導體組件的方法，其特征在于，該遮蔽層包含鎳，且該焊料層包含一無鉛焊料層，該遮蔽層是作為阻障層以避免銅柱中的銅擴散至該焊料層中。