[發(fā)明專利]一種低衰耗彎曲不敏感單模光纖

有效

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• 申請日: 2014-09-17
• 公開（公告）號: CN104216044B
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發(fā)明（設計）人: 張磊;龍勝亞;張睿;傅琰;王瑞春
• 申請（專利權）人: 長飛光纖光纜股份有限公司
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036;G02B6/02
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司42102
• 代理人: 胡建平

1.一種低衰耗彎曲不敏感單模光纖，包括有纖芯層、下陷內包層、內包層、下陷外包層和純二氧化硅玻璃外包層，其特征在于纖芯層從內向外由折射率從高到低的第一芯層、第二芯層以及第三芯層所組成，所述的第一芯層半徑R1為2.5μm～3.3μm，相對折射率差Δ1為0.25％～0.38％；所述的第二芯層半徑R2為4μm～5μm，相對折射率差Δ2為0.15％～0.25％；所述的第三芯層半徑R3為5.3μm～6.3μm，相對折射率差Δ3為0.02％～0.15％；所述的下陷內包層半徑R4為7μm～8μm，相對折射率差Δ4為-0.15％～0％。

2.按權利要求1所述的低衰耗彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述內包層為純二氧化硅玻璃層，R5為8μm～10μm。

3.按權利要求2所述的低衰耗彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述的下陷外包層為F摻雜的二氧化硅玻璃層，R6為12μm～18μm；Δ6為-0.35％～-0.20％；外包層為純二氧化硅玻璃層。

4.按權利要求1或2所述的低衰耗彎曲不敏感單模光纖，其特征在于所述的纖芯層為鍺氟共摻的二氧化硅玻璃層，其中氟的貢獻量為-0.05％～-0.12％。

5.按權利要求1或2所述的低衰耗彎曲不敏感單模光纖，其特征在于光纖在1310nm波長處的模場直徑為8.4～9.6微米。

6.按權利要求1或2所述的低衰耗彎曲不敏感單模光纖，其特征在于光纖在1310nm波長處的衰減系數(shù)小于或等于0.335dB/km，在1550nm波長處的衰減系數(shù)小于或等于0.195dB/km。

7.按權利要求1或2所述的低衰耗彎曲不敏感單模光纖，其特征在于光纖具有小于或等于1260nm的光纜截止波長。

8.按權利要求1或2所述的低衰耗彎曲不敏感單模光纖，其特征在于光纖在1550nm波長處，對于圍繞15毫米彎曲半徑繞10圈的彎曲附加損耗小于或等于0.15dB；對于圍繞10毫米彎曲半徑繞1圈的彎曲附加損耗小于或等于0.5dB。